[发明专利]一种石墨烯插层化合物的制备方法在审
| 申请号： | 201811344819.4 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109437175A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;田华雨;苗中明 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 插层化合物 石墨烯 制备 二阶 石墨插层化合物 无水三氯化铁 氧化剂 微电子器件 超声分散 混合加热 离心清洗 熔融盐法 设备要求 石墨 溶剂 插层 浓酸 水中 应用 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯插层化合物的制备方法，包括如下步骤：
(1)运用熔融盐法将无水三氯化铁与石墨混合加热制备二阶石墨插层化合物；
(2)采用氧化剂和浓酸对二阶石墨烯插层化合物进行氧化插层，将产物离心清洗后在水中超声分散。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的熔盐法反应温度为400℃，反应时间为4-6小时。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的无水三氯化铁与石墨质量比为5∶1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的氧化剂包括氯酸盐、高氯酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐，过氧化钠，浓酸为浓硫酸或者浓硫酸与浓硝酸的混合物。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中氧化插层时间为4-48h，温度为0-80℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中超声时间为0.5-4h。
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