[发明专利]ITO薄膜以及透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 201811344911.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110648783A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 河添昭造 | 申请（专利权）人： | 洛克技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 31291 上海立群专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶 透明导电性薄膜 退火处理 导电性 表面电阻 防潮性 阻气性 电阻 基材 膜厚 挠性 | ||
1.一种ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
2.如权利要求1所述的ITO薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
3.如权利要求1或者2所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。
4.如权利要求1～3的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
5.如权利要求1～4的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
6.一种透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特征在于，
所述第一ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜；所述第二ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
7.如权利要求6所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述薄膜金属层是厚度为10nm～20nm的Ag层。
8.如权利要求6或者7所述的透明导电性薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
9.如权利要求6～8的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜的膜密度为65％以上。
10.如权利要求6～9的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶第二ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
11.如权利要求6～10的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
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