[发明专利]ITO薄膜以及透明导电性薄膜

说明书

提供一种ITO薄膜以及透明导电性薄膜，ITO薄膜在不进行退火处理的状态下提高非晶ITO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化、提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；透明导电性薄膜具有优异的导电性、透明性以及耐久性。本发明的ITO薄膜在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。

技术领域

本发明特别涉及适用于使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明的ITO薄膜以及透明导电性薄膜。

背景技术

透明导电性薄膜被用于触摸面板、太阳能电池、电磁波/静电屏蔽、紫外/红外线屏蔽，特别是在使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明中，开始要求总透光率为90％且表面电阻为5～10(Ω/□)的性能。

然而,在专利文献1中公开了在不进行退火处理的状态下使用非晶ITO膜(实施例5以及比较例4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6106756号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

专利文献1通过使粒子散布而形成透明导电薄膜层上的透明金属氧化物层,通过减少透明金属氧化物层对透明导电薄膜层的覆盖率,使透明导电薄膜暴露在粒子之间,由此能够不降低透明性而大幅度增加透明导电薄膜层与透明金属氧化物层上的金属电极间的导电性，能够提高折射率匹配性或耐擦伤性。

因此，实施例5中，在ITO膜上形成了二氧化硅的情况下，具有较高的透明性，但是比较例4中,在ITO膜上没有形成二氧化硅，透明性较低，耐擦伤性也会出现问题。

另外，在专利文献1中，为了实现ITO膜的低电阻化，将ITO膜的厚度增加至90nm，同时为了提高ITO膜的稳定性，使SnO₂含量为10wt％。

本发明的目的是提供一种ITO薄膜，在不进行退火处理的情况下提高非晶ITO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化，提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；还提供一种具有优异的导电性、透明性以及耐久性的透明导电性薄膜。

用于解决上述技术问题的方案

技术方案1所述的本发明的ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。

技术方案2所述的本发明，其特征在于，在技术方案1所述的ITO薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。

技术方案3所述的本发明，其特征在于，在技术方案1或者2所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。

技术方案4所述的本发明，其特征在于，在技术方案1～3的任一项所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。

技术方案5所述的本发明，其特征在于，在技术方案1～4的任一项所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜所含有的SnO₂在2wt％～7wt％的范围内。

技术方案6所述的本发明的透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特征在于，所述第一ITO膜为未经退火处理状态下的非晶ITO膜；所述第二ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。