[发明专利]晶片结构及其修整方法

权利要求书

1.一种修整方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中形成所述第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着所述第一晶片的周边的路径；以及

在所述第一预修整标记上且沿着所述第一预修整标记的所述路径修整所述第一晶片，以移除所述第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。

2.根据权利要求1所述的修整方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述第一表面上形成所述第一预修整标记包括：对所述第一晶片的所述第一表面执行刻蚀工艺以形成所述第一预修整标记且所述第一区包括多个刻蚀条纹。

3.根据权利要求1所述的修整方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述第一表面上形成所述第一预修整标记包括：对所述第一晶片的所述第一表面执行激光标记工艺以形成所述第一预修整标记且所述第一区包括多个激光标记条纹。

4.根据权利要求1所述的修整方法，其特征在于，修整所述第一晶片包括：切入所述第一晶片中并切穿所述第一预修整标记到达修整深度且所述修整深度大于所述凹槽中的每一个凹槽的深度。

5.根据权利要求1所述的修整方法，其特征在于，所述经修整边缘还包括环绕所述第一区的第二区且所述第二区具有与所述第一区的纹理特征不同的纹理特征。

6.根据权利要求1所述的修整方法，其特征在于，还包括：

在修整所述第一晶片之后，提供结合到所述第一晶片的所述第一表面的第二晶片，并对所述第一晶片的所述第二表面执行晶片薄化工艺。

7.根据权利要求6所述的修整方法，其特征在于，还包括：

在执行所述晶片薄化工艺之后，在所述第一晶片的所述第二表面上形成第二预修整标记。

8.根据权利要求7所述的修整方法，其特征在于，还包括：

在所述第一晶片的所述第二表面上形成所述第二预修整标记之后，在所述第二预修整标记上修整所述第一晶片及所述第二晶片。

9.一种修整方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

从所述第一晶片的所述第一表面沿着厚度方向对所述第一晶片执行第一标记修整步骤，以移除围绕所述第一晶片的周边的环状结构，对所述第一晶片执行所述第一标记修整步骤包括：在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中所述第一预修整标记是通过形成多个凹槽来形成，所述凹槽彼此间隔开且分布在沿着所述第一晶片的所述周边的圆形路径中；

通过提供第二晶片并将所述第二晶片堆叠到所述第一晶片的所述第一表面来形成堆叠的晶片结构；以及

从所述第一晶片的所述第二表面沿着所述厚度方向对所述堆叠的晶片结构执行第二标记修整步骤，以移除所述堆叠的晶片结构的边缘部分。

10.根据权利要求9所述的修整方法，其特征在于，形成所述第一预修整标记包括：对所述第一晶片的所述第一表面执行刻蚀工艺，以形成多个凹槽。

11.根据权利要求9所述的修整方法，其特征在于，形成所述第一预修整标记包括：对所述第一晶片的所述第一表面执行激光标记工艺，以形成多个凹槽。

12.根据权利要求9所述的修整方法，其特征在于，对所述第一晶片执行所述第一标记修整步骤还包括：

通过在所述第一预修整标记上进行切割并沿着所述第一预修整标记的所述圆形路径切入所述第一晶片中以移除所述环状结构来修整所述第一晶片。