[发明专利]晶片结构及其修整方法

说明书

一种晶片结构及其修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。在第一晶片的第一表面上形成第一预修整标记，其中形成第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着第一晶片的周边的路径。在第一预修整标记上且沿着第一预修整标记的路径修整第一晶片，以移除第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。

技术领域

本发明的实施例是有关于一种晶片结构及其修整方法，特别是有关于一种具有经修整边缘的半导体晶片结构及一种用于处理半导体晶片结构的外边缘的修整方法。

背景技术

近年来，由于半导体芯片小型化的需求，因此在半导体制造工艺中晶片薄化工艺的要求变得更严格。一般来说，在晶片薄化工艺期间，对半导体晶片的背侧执行的研磨工艺可能使晶片边缘被损坏。随后，可执行边缘修整工艺以移除晶片的外边缘。

发明内容

根据一些实施例，提供一种修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。在所述第一晶片的所述第一表面上形成第一预修整标记，其中形成所述第一预修整标记包括形成多个凹槽，所述多个凹槽被排列成沿着所述第一晶片的周边的路径。在所述第一预修整标记上且沿着所述第一预修整标记的所述路径修整所述第一晶片，以移除所述第一晶片的一部分并形成经修整边缘，所述经修整边缘上具有多个第一区。

根据一些替代实施例，提供一种修整方法。所述修整方法包括以下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。从所述第一晶片的所述第一表面沿着厚度方向对所述第一晶片执行第一标记修整步骤，以移除围绕所述第一晶片的周边的环状结构。通过提供第二晶片并将所述第二晶片堆叠到所述第一晶片的所述第一表面来形成堆叠的晶片结构。从所述第一晶片的所述第二表面沿着所述厚度方向对所述堆叠的晶片结构执行第二标记修整步骤，以移除所述堆叠的晶片结构的边缘部分。

根据一些替代实施例，提供一种晶片结构。一种晶片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面与所述第二表面的边缘。所述边缘实质上垂直于所述晶片的所述第一表面及所述第二表面，所述边缘具有被第二区环绕的多个第一区，各个所述第一区被所述第二区彼此分离及间隔开且所述第二区的纹理特征不同于所述第一区的纹理特征。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1H示出根据本公开一些实施例的对堆叠的晶片结构进行的修整方法的示意性剖视图。

图2A示出根据本公开一些实施例的在形成第一预修整标记之后的第一晶片的示意性俯视图。

图2B及图2C示出根据一些实施例的对第一晶片进行的标记修整工艺的示意性立体图。

图2D示出根据本公开一些实施例的图2C所示区域A中的边缘表面的示意性放大剖视图。

图3A示出根据本公开一些实施例的在形成第二预修整标记之后的堆叠的晶片结构的示意性俯视图。

图3B及图3C示出根据本公开一些实施例的对第一晶片及第二晶片进行的标记修整工艺的示意性立体图。

图3D示出根据本公开一些实施例的图3C所示区域D中的边缘表面的示意性放大剖视图。

图4A示出根据本公开一些实施例的在执行第二修整步骤之前的图1F所示区域B的示意性放大剖视图。

图4B示出根据本公开一些实施例的图1H所示区域C的示意性放大剖视图。

附图标号说明

50：第一预修整标记