[发明专利]光罩防护膜结构及光罩在审
申请号: | 201811346995.1 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109270789A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 方红;姜鹏 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F1/62 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 环形框架 防护膜 保护膜 开口 变形量 贯穿孔 过滤膜 变形 贯穿 支撑 | ||
一种光罩防护膜结构及光罩,其中所述光罩防护膜结构,包括保护膜;环形框架,所述环形框架用于支撑和固定所述保护膜,所述环形框架中具有贯穿环形框架的开口,所述开口中填充满若干具有贯穿孔的过滤膜。本发明的光罩防护膜结构的变形量较小或不会发生变形。
技术领域
本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种光罩防护膜结构及光罩。
背景技术
在半导体制造的整个流程中,光掩膜或称光罩(mask)制造是从版图到晶圆(wafer)制造中间的一个过程。这一部分是流程衔接的关键部分,是流程中造价最高的一部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。
光罩是高精密度的石英平板,用来制作芯片上电子电路图像,以利集成电路的制作。所以光罩的制造和保存皆十分严格,才能使精准的光罩得到妥善保存,从而显影后所呈现的电路图像才会符合预定的要求。否则,利用有缺陷或刮伤的光罩进行微影工艺时,不完美的电路图像便会被复制到芯片上,进而使得制造的产品出现问题,浪费生产成本。
随着半导体技术的进步,半导体元件的尺寸愈来愈小,集成电路愈来愈精密。而随着微影成像技术的发展,光罩的线幅尺寸(Critical Dimension;CD)已进入0.18微米,甚至是0.13微米以下。然而,具有更精密的线幅尺寸的光罩,意味着制作光罩的成本越加昂贵,所以在保存及应用光罩时需更加小心。
一般而言,光罩借着盖于其上的光罩防护膜而得以保护,免于受到外界的伤害及沾上不必要的尘灰。
参考图1,现有的光罩防护膜结构包括:框架102,所述框架102位于光罩20表面,所述框架102与光罩20之间通过粘附层粘接;位于框架102上的保护膜101,所述框架102与保护膜101之间通过粘附层粘接,通过框架102和保护膜101将光罩20上的掩膜图形21与外界隔离保护。
所述框架103上还具有贯穿框架102侧壁的开孔103,所述框架102的外侧壁上具有过滤器104,所述过滤器104封闭所述开孔103的开口。所述开孔103用于保持内外的压力平衡,所述过滤器104用于吸附污染物。
但是现有的光罩防护膜结构容易产生变形,进而使得光罩也会发生变形。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是怎样减小或防止光罩的变形。
为了解决上述问题,本发明提供了一种光罩防护膜结构,包括:
保护膜;
环形框架,所述环形框架用于支撑和固定所述保护膜,所述环形框架中具有贯穿环形框架的开口,所述开口中填充满若干具有贯穿孔的过滤膜。
可选的,所述开口的形状为立方体,每个过滤膜的形状为具有贯穿孔的立方体。
可选的,若干过滤膜相互堆叠填充满所述开口。
可选的,所述开口的宽度5~7毫米,开口的高度为5~7毫米。
可选的,每个过滤膜的宽度250~350纳米,高度为250~350纳米,贯穿孔两边的过滤膜的膜壁的厚度为0.320~0.340纳米。
可选的,所述过滤膜材料的硬度与环形框架材料的硬度之比为0.9/1~1.1/1。
可选的,所述环形框架的材料为铝或铝合金,所述过滤膜的材料为石墨。
本发明还提供了一种光罩,包括:
透明基板,透明基板的包括第一表面和相对的第二表面,所述透明基板的第一表面上具有若干不透光的掩膜图形;
位于所述透明基板第一表面的如前述所述的光罩防护膜结构。
可选的,所述透明基板与光罩防护膜结构之间具有粘附层。
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