[发明专利]功率半导体组件及电子设备在审
申请号: | 201811347983.0 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN110034100A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 佐藤知稔;米田博之;田中研一;藤田耕一郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L25/16 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率半导体组件 电容器 第二导电层 第一导电层 电子设备 晶体管 主面 绝缘层 充放电电流 导电性基板 磁场抵消 第二电极 第一电极 电力转换 电流路径 开关控制 开关噪声 电极部 流通 配置 | ||
1.一种功率半导体组件,在绝缘层的一侧的主面形成有由多个电极部构成的第一导电层,在所述绝缘层的另一侧的主面形成有第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层经由设置于所述绝缘层的开口部连接,在所述第一导电层的表面配置有多个开关元件及多个外部连接端子,通过所述开关元件的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换,其特征在于,
所述功率半导体组件至少具有一个电容器,所述电容器配置在所述第一导电层之上,并对所述多个电极部中的任意两个电极部进行连接,
所述外部连接端子被制成如下端子构造:在该功率半导体组件连接有电源及负载以实施规定的电力转换工作的状态下,在与所述电容器对置的位置的所述第二导电层中流通有电流的情况下,在所述电容器中产生与在所述第二导电层中流通的电流相反方向的充放电电流。
2.一种功率半导体组件,其特征在于,
所述功率半导体组件具备:绝缘层;由形成于所述绝缘层的一侧的主面的多个电极部构成的第一导电层;及形成于所述绝缘层的另一侧的主面的第二导电层,
所述第一导电层包含:
第一电极部,其经由形成于所述绝缘层的第一开口部与所述第二导电层连接;
第二电极部及第三电极部,其不与所述第二导电层连接;及
第四电极部,其经由形成于所述绝缘层的第二开口部与所述第二导电层连接,
在所述第一电极部及所述第二电极部之间连接有电容器,
在所述第二电极部及所述第三电极部之间连接有第一晶体管,
在所述第三电极部及所述第四电极部之间连接有第二晶体管,
在所述第一至第四电极部分别连接有第一至第四外部连接端子。
3.根据权利要求2所述的功率半导体组件,其特征在于,
所述第一至第四电极部按照所述第一至第四电极部的顺序大致在直线上配置成一列。
4.根据权利要求2所述的功率半导体组件,其特征在于,
所述第一晶体管及所述第二晶体管通过倒装芯片安装而安装于功率半导体组件。
5.根据权利要求2所述的功率半导体组件,其特征在于,
所述第一晶体管及所述第二晶体管为横向型的半导体晶体管。
6.根据权利要求2所述的功率半导体组件,其特征在于,
在所述第一电极部中,所述第一外部连接端子配置在所述第一开口部的正上方,
在所述第四电极部中,所述第四外部连接端子配置在所述第二开口部的正上方。
7.根据权利要求1所述的功率半导体组件,其特征在于,
所述绝缘层为氧化铝,所述绝缘层的厚度为100~800μm的范围。
8.根据权利要求2所述的功率半导体组件,其特征在于,
所述绝缘层为氧化铝,所述绝缘层的厚度为100~800μm的范围。
9.一种功率半导体组件,
在绝缘层的一侧的主面形成有由多个电极部构成的第一导电层,在所述绝缘层的另一侧的主面形成有第二导电层,所述第一导电层与所述第二导电层经由设置于所述绝缘层的开口部连接,在所述第一导电层的表面配置有多个开关元件及多个外部连接端子,通过所述开关元件的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换,其特征在于,
通过所述开关元件的开关控制连续且交替地切换两个电流路径,
在所述两个电流路径中的一个产生仅在所述第一导电层中流通的电流,在所述两个电流路径中的另一个产生仅在所述第二导电层中流通的电流,并具有上述电流为同方向的电流的区域。
10.一种电子设备,其特征在于,
组装有所述权利要求1所述的功率半导体组件。
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