[发明专利]功率半导体组件及电子设备

说明书

本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。

技术领域

本发明涉及一种功率半导体组件及具备该功率半导体组件的电子设备。

背景技术

能够对较高的电压及较大的电流进行处理并使用电力转换等的功率半导体组件在各种电子设备中是重要的器件。专利文献1、2中公开了以往的功率半导体组件。

在专利文献1、2所公开的功率半导体组件中，在绝缘层的一侧的面形成有第一导电层，在另一侧的面形成有第二导电层。这样的构成例如通过在作为第二导电层的导电性基板上隔着绝缘层形成第一导电层等来获得。第一导电层及第二导电层经由设置于绝缘层的通孔连接。在第一导电层的表面配置有开关元件(Hi侧晶体管及Low侧晶体管)、外部连接端子。上述功率半导体组件能够通过Hi侧晶体管及Low侧晶体管的开关控制实施电力转换。

图14为表示专利文献1所公开的功率半导体组件的概要构成的剖视图。

图14所示的功率半导体组件为，在作为第二导电层的导电性基板801上形成有绝缘层821，在绝缘层821上形成有作为第一导电层的第一至第四电极部811～814。在该功率半导体组件中，第一至第四电极部811～814按该顺序(图14中为从左向右的顺序)配置成一列。第一电极部811及第四电极部814经由形成于绝缘层821的通孔而连接于导电性基板801。

在第二电极部812及第三电极部813之间连接有Low侧晶体管832。在第三电极部813及第四电极部814之间连接有Hi侧晶体管831。Hi侧晶体管831及Low侧晶体管832根据从控制端子(未图示)输入的控制信号实施导通(ON)/截止(OFF)控制。

在第一电极部811上以竖立设置的方式配置有第一外部连接端子841。在第二电极部812上以竖立设置的方式配置有第二外部连接端子842。在第三电极部813上以竖立设置的方式配置有第三外部连接端子843。

例示了图14所示的功率半导体组件作为下变频器进行工作的情况，在该情况下，在第一外部连接端子841与第二外部连接端子842之间连接有电源851，在第二外部连接端子842与第三外部连接端子843之间串联有负载852及电感器853。电感器853配置在第三外部连接端子843与负载852之间。此外，为了用于下变频器的稳定，负载852排列地连接平滑电容器的情况较多，但由于与此次的技术课题无关，因此在此省略。在该构造中，第二外部连接端子842共用作电源连接用的外部连接端子和输出用的外部连接端子。另外，在图14中，空心箭头表示Hi侧晶体管831导通(Low侧晶体管832截止)时的电流路径，涂黑箭头表示Low侧晶体管832导通(Hi侧晶体管831截止)时的电流路径。

图15为表示专利文献2所公开的功率半导体组件的概要构成的剖视图。

图15所示的功率半导体组件为，在作为第二导电层的导电性基板901上形成有绝缘层921，在绝缘层921上形成有作为第一导电层的第一至第四电极部911～914。在该功率半导体组件中，按照第四电极部914、第三电极部913、第一电极部911、第二电极部912的顺序(图15中为从左向右的顺序)配置成一列。第二电极部912及第四电极部914经由形成于绝缘层921的通孔而连接于导电性基板901。