[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201811348315.X 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN110047524B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 元炯植;金弘中 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,包括:

感测放大器控制电路,其被配置为响应于激活信号、预充电信号和包括最后写入脉冲的写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号;以及

感测放大器驱动电压提供电路,其被配置为在所述第一感测放大器驱动电压施加信号至所述第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间将驱动电压提供给感测放大器,

其中,响应于检测到所述最后写入脉冲,所述感测放大器被禁止。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述感测放大器控制电路响应于所述激活信号来使能所述第一感测放大器驱动电压施加信号和所述第三感测放大器驱动电压施加信号,并且响应于所述写入脉冲和所述预充电信号来禁止所述第二感测放大器驱动电压施加信号和所述第三感测放大器驱动电压施加信号。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件,其中,所述感测放大器控制电路包括:

感测放大器驱动信号发生电路,其被配置为响应于所述激活信号和所述预充电信号来产生所述第一感测放大器驱动电压施加信号、第二预感测放大器驱动电压施加信号和第三预感测放大器驱动电压施加信号;

预充电脉冲发生电路,其被配置为响应于所述预充电信号来产生预充电脉冲;

最后写入脉冲检测电路,其被配置为响应于所述写入脉冲和所述预充电脉冲来产生检测脉冲,所述检测脉冲指示检测到所述最后写入脉冲;

浮置脉冲发生电路,其被配置为响应于所述检测脉冲来产生浮置脉冲;以及

浮置控制电路,其被配置为响应于所述第二预感测放大器驱动电压施加信号和所述第三预感测放大器驱动电压施加信号以及所述浮置脉冲来产生所述第二感测放大器驱动电压施加信号和所述第三感测放大器驱动电压施加信号。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述感测放大器驱动信号发生电路:响应于所述激活信号来使能所述第一感测放大器驱动电压施加信号并使能所述第三预感测放大器驱动电压施加信号,当所述第一感测放大器驱动电压施加信号被禁止时使能所述第二预感测放大器驱动电压施加信号,以及响应于所述预充电信号来禁止所述第二预感测放大器驱动电压施加信号和所述第三预感测放大器驱动电压施加信号。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器件,其中,当在所述预充电脉冲的使能时段期间输入所述写入脉冲时,所述最后写入脉冲检测电路输出所述写入脉冲作为所述检测脉冲。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器件,

其中,所述浮置控制电路在所述浮置脉冲的禁止时段期间输出所述第二预感测放大器驱动电压施加信号和所述第三预感测放大器驱动电压施加信号作为所述第二感测放大器驱动电压施加信号和所述第三感测放大器驱动电压施加信号,以及

其中,在所述浮置脉冲的使能时段期间,所述浮置控制电路在所述第二预感测放大器驱动电压施加信号和所述第三预感测放大器驱动电压施加信号被使能时禁止所述第二感测放大器驱动电压施加信号和所述第三感测放大器驱动电压施加信号。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述感测放大器驱动电压提供电路包括:

第一电压开关电路,其被配置为响应于所述第一感测放大器驱动电压施加信号来将外部电压提供给第一驱动电压施加线;

第二电压开关电路,其被配置为响应于所述第二感测放大器驱动电压施加信号来将核心电压提供给所述第一驱动电压施加线;以及

第三电压开关电路,其被配置为响应于所述第三感测放大器驱动电压施加信号来将接地电压提供给第二驱动电压施加线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件,其中,所述第一电压开关电路包括第一晶体管,所述第一晶体管具有接收所述第一感测放大器驱动电压施加信号的栅极、施加有所述外部电压的漏极以及耦接到所述第一驱动电压施加线的源极。

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