[发明专利]半导体存储器件

说明书

一种半导体存储器件，包括：感测放大器控制电路，其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号；以及感测放大器驱动电压提供电路，其被配置为在第一感测放大器驱动电压施加信号至第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间通过第一驱动电压施加线和第二驱动电压施加线将驱动电压提供给感测放大器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0162997的韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体并入本文。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路。具体地，这些实施例涉及一种半导体存储器件。

背景技术

半导体存储器件接收并储存数据以及输出所储存的数据。

由于半导体存储器件旨在实现低功耗和高速操作，因此已经做出了努力以在接收并储存数据时降低功耗并提高储存数据的速度。

发明内容

各种实施例针对一种用于在提高数据储存速度的同时减少数据储存中消耗的功率的半导体存储器件。

在一个实施例中，一种半导体存储器件可以包括：感测放大器控制电路，其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号；以及感测放大器驱动电压提供电路，其被配置为在所述第一感测放大器驱动电压施加信号至所述第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间将驱动电压提供给感测放大器。

在一个实施例中，一种半导体存储器件可以包括：感测放大器控制电路，其被配置为响应于激活信号来使能感测放大器驱动电压施加信号，而响应于预充电信号和写入脉冲来禁止所述感测放大器驱动电压施加信号；以及感测放大器驱动电压提供电路，其被配置为在所述感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间将电压提供给感测放大器。

在一个实施例中，一种半导体存储器件，包括：感测放大器；以及驱动电压发生电路，其被配置为产生用于驱动所述感测放大器的驱动电压，所述驱动电压响应于一系列写入命令之中的最后写命令来禁止所述感测放大器。

根据实施例，半导体存储器件提供的优点在于提高数据储存速度并且减少数据储存中消耗的功率。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体存储器件的示图。

图2是示出根据一个实施例的感测放大器控制电路的示图。

图3是示出根据一个实施例的感测放大器驱动电压提供电路的示图。

图4是描述根据一个实施例的半导体存储器件的操作的定时图。

具体实施方式

下面参考附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，我们注意到，本发明可以以不同的形式和变型来实施，并且不应该被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供所描述的实施例是为了使本公开充分和完整，并且将本发明完全传达给本发明所属领域的技术人员。贯穿本公开，在本发明的各个附图和实施例中，相同的附图标记表示相同的部件。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件也可以被称为第二元件或第三元件。

附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，可能夸大了比例以便清楚地示出实施例的特征。