[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)使半导体衬底的上表面的一部分后退，并形成突出部分，所述突出部分是半导体衬底的一部分，并且从后退的所述半导体衬底的上表面突出、并沿着所述半导体衬底的主表面在第一方向上延伸；

(b)以使得覆盖所述突出部分的上表面和侧表面的方式，形成第一导电膜；

(c)图案化所述第一导电膜，并且由此形成在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的多个第一栅极图案；

(d)在所述第一栅极图案的上表面和侧表面之上、以及在相互邻近的所述第一栅极图案之间的突出部分的上表面和侧表面之上，形成第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜包括金属氧化物膜；

(e)在所述第一栅极绝缘膜之上，以使得在相邻的所述第一栅极图案之间进行填充的方式，形成沿所述第二方向延伸的存储器栅极电极；

(f)在步骤(e)之后，去除形成在所述第一栅极图案的上表面之上的所述第一栅极绝缘膜；

(g)在步骤(f)之后，去除所述第一栅极图案的一部分，并且由此形成第二栅极图案，所述第二栅极图案在所述第二方向上延伸、并且由剩余的所述第一栅极图案形成，剩余的所述第一栅极图案经由所述第一栅极绝缘膜而在所述存储器栅极电极的在所述第一方向上的侧表面处；和

(h)对从所述存储器栅极电极和所述第二栅极图案露出的所述突出部分进行离子注入，并且由此在所述突出部分中形成杂质区域。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，在步骤(h)时，在从所述存储器栅极电极和所述第二栅极图案露出的所述突出部分的上表面和侧表面处，不形成所述第一栅极绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(i)在步骤(h)之后，在包括形成在其中的所述杂质区域的所述突出部分之上形成外延层。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(j)在步骤(h)和步骤(i)之间，使包括形成在其中的所述杂质区域的所述突出部分后退，

其中所述外延层形成在后退的所述突出部分之上。

5.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(k)在步骤(f)和步骤(g)之间，在所述第一栅极图案之上形成盖膜，

其中，使用所述盖膜作为掩模来进行所述步骤(g)，以及

其中，在将所述盖膜留在所述第二栅极图案的上表面之上的情况下进行步骤(i)。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(1)在步骤(h)和步骤(i)之间，在所述第二栅极图案的侧表面之上形成侧壁间隔物，

其中，所述侧壁间隔物的上端的位置低于所述盖膜的上表面，并且高于所述第二栅极图案和所述盖膜之间的边界。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中，所述侧壁间隔物不形成在包括形成在其中的所述杂质区域的所述突出部分的侧表面之上。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(m)在步骤(a)和步骤(b)之间，在所述突出部分的侧表面之上、以及在所述半导体衬底之上形成元件隔离部分，

其中，所述元件隔离部分的上表面的位置低于所述突出部分的上表面的位置，以及

其中，所述杂质区域形成在位于所述元件隔离部分的上表面上方的整个突出部分处。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(n)在步骤(h)之后，在包括形成在其中的所述杂质区域的所述突出部分的上表面和侧表面处直接形成硅化物层。