[发明专利]缺陷杀伤率分析方法及分析系统在审
申请号: | 201811349976.4 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN111189846A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 王通;许继仁;林庆儒 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 杀伤 分析 方法 系统 | ||
1.一种缺陷杀伤率分析方法,其特征在于,所述缺陷杀伤率分析方法包括步骤:
1)提供待检测晶圆,获取所述待检测晶圆的检测图形,所述检测图形包括若干个曝光场,至少一所述曝光场内具有缺陷;
2)对所述检测图形进行芯片区域划分,各所述曝光场包括若干个所述芯片区域;
3)获取所述检测图形内具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量;
4)依据具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量得到缺陷杀伤率。
2.根据权利要求1所述的缺陷杀伤率分析方法,其特征在于:步骤1)中通过光电信号扫描所述待检测晶圆以获取所述检测图形。
3.根据权利要求2所述的缺陷杀伤率分析方法,其特征在于:步骤2)包括如下步骤:
2-1)依据所述待检测晶圆表面的光强将所述检测图形分为亮区及暗区;
2-2)将所述亮区内若干条切割道围成的封闭区域定义为所述芯片区域。
4.根据权利要求3所述的缺陷杀伤率分析方法,其特征在于:所述亮区包括所述待检测晶圆表面的光强大于等于150cd的区域。
5.根据权利要求1所述的缺陷杀伤率分析方法,其特征在于:步骤3)中,获取所述检测图形内所述曝光场的数量及各所述曝光场内所述芯片区域的数量,依据所述曝光场的数量及各所述曝光场内所述芯片区域的数量得到所述检测图形内所述芯片区域的总数量。
6.根据权利要求1所述的缺陷杀伤率分析方法,其特征在于:步骤4)中,所述缺陷杀伤率为具有所述缺陷的所述芯片区域的数量占所述芯片区域总数量的百分比。
7.一种缺陷杀伤率分析系统,其特征在于,所述缺陷杀伤率分析系统包括:
图形获取装置,用于获取待检测晶圆的检测图形,所述检测图形包括若干个曝光场,至少一所述曝光场内具有缺陷;
区域划分模块,与所述图形获取装置相连接,用于将所述图形获取装置获取的所述检测图形进行芯片区域划分,并将划分后的所述芯片区域呈现于所述检测图形内,各所述曝光场包括若干个所述芯片区域。
8.根据权利要求7所述的缺陷杀伤率分析系统,其特征在于:所述图像获取装置包括:
检测光源,用于发射检测光对所述待检测晶圆进行扫描;
成像模块,用于接收所述待检测晶圆对所述检测光进行反射的反射光信号,并依据所述反射光信号得到所述检测图形。
9.根据权利要求7所述的缺陷杀伤率分析系统,其特征在于:所述区域划分模块依据所述待检测晶圆表面的光强将所述检测图形分为亮区及暗区,并将所述亮区内若干条切割道围成的封闭区域定义为所述芯片区域。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的缺陷杀伤率分析系统,其特征在于:所述缺陷杀伤率分析系统还包括统计分析模块,与所述图像获取装置相连接,所述统计分析模块用于统计所述检测图形内具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量,并依据具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量得到缺陷杀伤率。
11.根据权利要求10所述的缺陷杀伤率分析系统,其特征在于:所述统计分析模块包括:
统计单元,与所述图像获取装置相连接,用于统计所述检测图形内具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量;
分析单元,与所述统计单元相连接,用于依据具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量得到缺陷杀伤率。
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