[发明专利]缺陷杀伤率分析方法及分析系统

说明书

本发明提供一种缺陷杀伤率分析方法及分析系统，缺陷杀伤率分析方法包括步骤：1)提供待检测晶圆，获取待检测晶圆的检测图形，检测图形包括若干个曝光场，至少一所述曝光场内具有缺陷；2)对检测图形进行芯片区域划分，各曝光场包括若干个芯片区域；3)获取检测图形内具有缺陷的芯片区域的数量及芯片区域的总数量；4)依据具有缺陷的芯片区域的数量及芯片区域的总数量得到缺陷杀伤率。本发明可以增加缺陷检测的敏感性，显著降低缺陷杀伤率，避免不必要的浪费，降低报废率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种缺陷杀伤率分析方法及分析系统。

背景技术

随着半导体技术的发展，产品研发速度越来越快，研发部门对于缺陷(defect)的要求也越来越严格。在现有晶圆(wafer)制造工艺中，越来越多将多种不同的芯片(die)集中在同一晶圆上进行生产。当前的晶圆检测设备都是通过光电信号在晶圆表面扫描，同时收集检测反馈的光电信号，再比较相邻曝光场(shot)的信号差异，如差异值超过预设标准(Spec)则标示为缺陷；通过统计具有缺陷的曝光场的数量占晶圆内曝光场总数量的百分比来得到缺陷杀伤率(kill ratio)。然而，上述方法具有如下缺陷：1.缺陷敏感度较低，太多的测试区及非工作区，而且缺陷往往很多，虽然对产品的良率没有影响，但是放在整片晶圆上却会影响工程师的判断对其做出报废(scrap)，从而造成资源浪费；2.不同的工艺整合工程师(PIE)或者客户要求对不同的芯片进行缺陷检测，需要很多不同的程式进行检测，从而造成人力、机台及时间等资源的浪费；3.由于统计缺陷杀伤率时以曝光场为单位，得到的缺陷杀伤率会极为不准确。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种缺陷杀伤率分析方法及分析系统，用于解决现有技术中进行缺陷分析时存在的缺陷杀伤率极不准确，会造成不必要的报废，进而造成资源浪费等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种缺陷杀伤率分析方法，所述缺陷杀伤率分析方法包括步骤：

1)提供待检测晶圆，获取所述待检测晶圆的检测图形，所述检测图形包括若干个曝光场，至少一所述曝光场内具有缺陷；

2)对所述检测图形进行芯片区域划分，各所述曝光场包括若干个所述芯片区域；

3)获取所述检测图形内具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量；

4)依据具有所述缺陷的所述芯片区域的数量及所述芯片区域的总数量得到缺陷杀伤率。

可选地，步骤1)中通过光电信号扫描所述待检测晶圆以获取所述检测图形。

可选地，步骤2)包括如下步骤：

2-1)依据所述待检测晶圆表面的光强将所述检测图形分为亮区及暗区；

2-2)将所述亮区内若干条切割道围成的封闭区域定义为所述芯片区域。

可选地，所述亮区包括所述待检测晶圆表面的光强大于等于150cd的区域。

可选地，步骤3)中，获取所述检测图形内所述曝光场的数量及各所述曝光场内所述芯片区域的数量，依据所述曝光场的数量及各所述曝光场内所述芯片区域的数量得到所述检测图形内所述芯片区域的总数量。

可选地，步骤4)中，所述缺陷杀伤率为具有所述缺陷的所述芯片区域的数量占所述芯片区域总数量的百分比。

本发明还提供一种缺陷杀伤率分析系统，所述缺陷杀伤率分析系统包括：

图形获取装置，用于获取待检测晶圆的检测图形，所述检测图形包括若干个曝光场，至少一所述曝光场内具有缺陷；