[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811352322.7 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109390278B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 谢蒂旎;李伟;张晓晋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上的显示区形成图案化膜层；
在所述衬底上的非显示区形成围绕所述显示区一圈的挡墙；所述图案化膜层与所述挡墙位于所述衬底的同一侧；
在所述挡墙围成的区域内形成平坦层，所述平坦层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离小于所述挡墙背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离；
其中，所述平坦层的材料的粘度小于8cP；
所述图案化膜层包括薄膜晶体管；
形成所述平坦层之后，所述方法还包括：
在所述平坦层背离所述衬底一侧、且位于所述显示区，形成自发光器件，所述自发光器件包括发光功能层，所述发光功能层采用喷墨打印方式形成；
在形成所述平坦层之后，形成所述自发光器件之前，所述方法还包括：去除所述挡墙；
所述挡墙的材料由感光树脂构成。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述平坦层的厚度为小于5μm。
3.一种显示基板，其特征在于，通过权利要求1-2任一项所述的显示基板的制备方法制备得到。
4.一种显示基板，包括衬底，所述衬底划分为显示区和非显示区，其特征在于，所述显示基板还包括：设置于所述显示区的图案化膜层、设置于所述非显示区且围绕所述显示区一圈的挡墙、以及设置于所述挡墙围成的区域内的平坦层，所述图案化膜层与所述挡墙位于所述衬底的同一侧；
其中，所述平坦层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离小于所述挡墙背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离；所述平坦层的材料的粘度小于8cP；
所述图案化膜层包括薄膜晶体管；所述显示基板还包括设置于所述平坦层背离所述衬底一侧、且位于所述显示区的自发光器件，所述自发光器件包括发光功能层；
所述挡墙的材料由感光树脂构成。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层的厚度为小于5μm。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙的材料包括树脂。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求3-6任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
