[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811352322.7 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109390278B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 谢蒂旎;李伟;张晓晋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可利用粘度低的材料,制备得到高平坦性的平坦层。一种显示基板的制备方法,包括:在衬底上的显示区形成图案化膜层;在所述衬底上的非显示区形成围绕所述显示区一圈的挡墙;所述图案化膜层与所述挡墙位于所述衬底的同一侧;在所述挡墙围成的区域内形成平坦层,所述平坦层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离小于所述挡墙背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离;其中,所述平坦层的材料的粘度小于8cP。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前,随着科学技术的快速的发展,各类显示装置逐渐发展起来,例如,液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)、有机电致发光二极管显示装置(OrganicLight-Emitting Diode Display,简称OLED)。
无论是LCD显示装置,还是OLED显示装置,在其制作过程中,常会形成平坦层,若平坦层的平整度不够,则像素内容易出现凹凸不平的现象,从而会严重影响显示装置的性能。
例如,LED显示装置包括OLED器件,OLED器件包括发光功能层,在制备OLED器件之前,由于薄膜晶体管等显示结构的存在,导致薄膜晶体管与待形成的OLED器件之间的平坦层靠近OLED器件一侧的表面不平坦。
现有技术通常采用真空蒸镀技术制备发光功能层,但真空蒸镀技术因工艺复杂、设备成本高而不具有竞争优势。
现有技术还可采用喷墨打印技术制备发光功能层,相较于真空蒸镀技术,喷墨打印技术具有设备成本低、制备工艺简单、能实现大面积高分辨率甚至柔性显示的优点,然而,由于平坦层靠近OLED器件一侧的表面不平坦,进一步的,在采用喷墨打印技术制备发光功能层时,发光功能层中靠近平坦层的表面不平坦、背离平坦层的表面平坦,即,发光功能层的厚度不均一,进而导致发光功能层的发光亮度不均一。
由于粘度较低的平坦层材料的流动性比较好,容易形成具有平坦的表面的平坦层,但粘度较低的材料所形成的平坦层的厚度较小,而较小的厚度将会影响平坦层的平坦性能。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,可利用粘度低的材料,制备得到高平坦性的平坦层。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示基板的制备方法,包括:在衬底上的显示区形成图案化膜层;在所述衬底上的非显示区形成围绕所述显示区一圈的挡墙;所述图案化膜层与所述挡墙位于所述衬底的同一侧;在所述挡墙围成的区域内形成平坦层,所述平坦层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离小于所述挡墙背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离;其中,所述平坦层的材料的粘度小于8cP。
可选的,所述图案化膜层包括薄膜晶体管;形成所述平坦层之后,所述方法还包括:在所述平坦层背离所述衬底一侧、且位于所述显示区,形成自发光器件,所述自发光器件包括发光功能层,所述发光功能层采用喷墨打印方式形成。
可选的,在形成所述平坦层之后,形成所述自发光器件之前,所述方法还包括:去除所述挡墙。
可选的,所述平坦层的厚度为小于5μm。
第二方面,提供一种显示基板,通过第一方面所述的显示基板的制备方法制备得到。
第三方面,提供一种显示基板,包括衬底,所述衬底划分为显示区和非显示区,所述显示基板还包括:设置于所述显示区的图案化膜层、设置于所述非显示区且围绕所述显示区一圈的挡墙、以及设置于所述挡墙围成的区域内的平坦层,所述图案化膜层与所述挡墙位于所述衬底的同一侧;其中,所述平坦层背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离小于所述挡墙背离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离;所述平坦层的材料的粘度小于8cP。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造