[发明专利]显示面板和包括该显示面板的电子装置在审
申请号: | 201811352492.5 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109801941A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 徐政汉;成宇镛 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;G09F9/33 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王慧敏;程月 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 基体层 前表面 无机膜 基底 显示区域 后表面 阻挡层 电子装置 折射率 叠置 像素层 凹进 堆叠 穿过 | ||
公开了一种显示面板和包括其的电子装置。所述显示面板包括基体基底和位于基体基底上的像素层,所述基体基底包括前表面和后表面并且具有第一孔和第二孔。显示区域限定在前表面中。第一孔与显示区域叠置并且穿过前表面和后表面。第二孔与显示区域叠置、与第一孔相邻并且从前表面凹进。基体基底还包括:第一基体层,包括后表面;第一阻挡层,位于第一基体层上并且包括具有第一折射率的第一无机膜和具有第二折射率的第二无机膜;第二基体层,位于第一阻挡层上;以及第二阻挡层,位于第二基体层上并且包括前表面。第一无机膜和第二无机膜交替地堆叠。
本申请要求于2017年11月16日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0153370号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的实施例的方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的电子装置。
背景技术
显示装置可以显示图像,并且有机发光显示装置作为下一代显示装置备受关注。有机发光显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。
有机发光显示装置可以包括有机发光元件。然而,有机发光元件会易于被湿气或氧损坏。因此,应当稳定地阻挡外部的湿气或氧,以改善有机发光显示装置的寿命和可靠性。
发明内容
根据本发明的实施例的方面,提供了具有改善的可靠性的显示面板和包括该显示面板的电子装置。根据本发明的实施例的其它方面,提供了能够有效地阻挡外部污染物的显示面板和包括该显示面板的电子装置。
根据本发明的一个或更多个实施例,显示面板包括基体基底和位于基体基底上的像素层,所述基体基底包括前表面和后表面,并且第一孔和第二孔限定在基体基底中。显示区域可以限定在前表面中。第一孔可以与显示区域叠置并且可以穿过前表面和后表面。第二孔可以与显示区域叠置、可以与第一孔相邻并且可以从前表面凹进。基体基底可以包括:第一基体层,包括基体基底的后表面;第一阻挡层,位于第一基体层上并且包括具有第一折射率的多个第一无机膜和具有第二折射率的多个第二无机膜;第二基体层,位于第一阻挡层上;以及第二阻挡层,位于第二基体层上并且包括基体基底的前表面。第二无机膜和第一无机膜可以交替地堆叠。第二孔可以限定在第二基体层和第二阻挡层中。
在实施例中,第一阻挡层的最上侧膜可以是第一无机膜中的一个,并且第一阻挡层的最下侧膜可以是第二无机膜中的一个。第二折射率可以高于第一折射率。
在实施例中,第一无机膜中的两个或更多个可以具有彼此不同的厚度,并且第二无机膜中的两个或更多个可以具有彼此不同的厚度。
在实施例中,第一无机膜和第二无机膜可以具有彼此不同的厚度。
在实施例中,第一阻挡层的厚度可以是从550nm至600nm。
在实施例中,第一无机膜可以包括氧化硅(SiOx),第二无机膜可以包括氮化硅(SiNx)。
在实施例中,第二孔可以包括穿过第二阻挡层的第一子孔以及与第一子孔叠置并且限定在第二基体层中的第二子孔。
在实施例中,限定在第二基体层中的第二子孔的宽度可以大于穿过第二阻挡层的第一子孔的宽度。
在实施例中,像素层可以包括设置在第二阻挡层上并且限定有与第二孔叠置的第三子孔的覆层。
在实施例中,覆层的第三子孔的宽度可以等于或小于第二阻挡层的第一子孔的宽度。
在实施例中,像素层可以包括:薄膜元件层,位于基体基底上并且包括薄膜晶体管;以及显示元件层,位于基体基底上并且包括连接到薄膜晶体管的有机发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的