[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质在审
申请号: | 201811353406.2 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109786289A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 高桥哲平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 基板处理装置 处理液 喷出 处理液供给部 处理液喷嘴 旋转保持部 基板处理 有机溶剂 喷嘴 可读取 基板外周缘 方向延伸 基板旋转 控制溶剂 控制旋转 溶剂供给 供给部 棉状块 外周缘 旋转轴 正交的 计算机 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
旋转保持部,其保持基板,并且使所述基板绕沿与所述基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转;
处理液供给部,其构成为从位于所述表面侧的处理液喷嘴,向通过所述旋转保持部而旋转的所述基板的所述表面供给处理液;以及
溶剂供给部,其构成为在比所述基板的外周缘靠外侧的位置,从位于所述表面侧的至少一个喷出喷嘴向下方供给有机溶剂。
2.一种基板处理装置,具备:
旋转保持部,其保持基板,并且使所述基板绕沿与所述基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转;
处理液供给部,其构成为从位于所述表面侧的处理液喷嘴向所述表面供给处理液;
溶剂供给部,其构成为从位于所述表面侧的至少一个喷出喷嘴向所述表面供给有机溶剂;以及
控制部,
其中,所述控制部执行第一处理和第二处理,所述第一处理为控制所述旋转保持部和所述处理液供给部,在所述旋转保持部使所述基板旋转时,使所述处理液喷嘴向所述表面供给所述处理液,所述第二处理为控制所述溶剂供给部,在所述处理液由于伴随所述基板的旋转产生的离心力而到达所述基板的外周缘之前,在比所述外周缘靠外侧的位置使所述喷出喷嘴向下方喷出所述有机溶剂。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述处理液被供给到所述表面之后执行所述第二处理。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具备清洗液供给部,所述清洗液供给部构成为从位于所述基板的背面侧的清洗液喷嘴向所述背面供给清洗液,
所述控制部还执行第三处理和第四处理,所述第三处理为在向整个所述表面供给所述处理液并且在所述表面形成处理膜之后,控制所述旋转保持部,使所述基板旋转来使所述处理膜干燥,所述第四处理为在所述第三处理之后,控制所述清洗液供给部,从所述清洗液喷嘴以朝向所述外周缘侧的方式向所述背面供给所述清洗液。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还具备加热部,所述加热部构成为对所述基板进行加热,
所述控制部还执行第五处理和第六处理,所述第五处理为在向整个所述表面供给所述处理液并且在所述表面形成处理膜之后,控制所述加热部来加热所述基板,形成所述处理膜固化而成的固化膜,所述第六处理为控制所述溶剂供给部,从所述喷出喷嘴向所述固化膜的周缘部供给所述有机溶剂,溶解所述周缘部来从所述基板去除该周缘部。
6.根据权利要求2至5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第二处理中,从所述喷出喷嘴喷出的有机溶剂与所述外周缘之间的间隔距离被设定成从所述旋转轴的延伸方向观察时为0.5mm以上。
7.根据权利要求2至6中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述第一处理之后还执行第七处理,所述第七处理为控制所述旋转保持部,使所述基板以第一转速旋转,使所述处理液朝向所述外周缘扩展,
所述控制部在所述第七处理之后还执行第八处理,所述第八处理为控制所述旋转保持部,使所述基板以比所述第一转速低的第二转速旋转,使所述处理液偏向所述基板的中央侧,
所述控制部在所述第八处理之后还执行第九处理,所述第九处理为控制所述旋转保持部,使所述基板以比所述第二转速高的第三转速旋转,使所述处理液再次朝向所述外周缘侧扩展,
在执行所述第七处理及第九处理的同时执行所述第二处理。
8.根据权利要求2至7中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液的粘度为2000cP以上。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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