[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质在审
申请号: | 201811353406.2 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109786289A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 高桥哲平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 基板处理装置 处理液 喷出 处理液供给部 处理液喷嘴 旋转保持部 基板处理 有机溶剂 喷嘴 可读取 基板外周缘 方向延伸 基板旋转 控制溶剂 控制旋转 溶剂供给 供给部 棉状块 外周缘 旋转轴 正交的 计算机 | ||
本公开说明能够抑制棉状块的产生的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质。基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板,使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转;处理液供给部,其构成为从位于表面侧的处理液喷嘴向表面供给处理液;溶剂供给部,其构成为从位于表面侧的至少一个喷出喷嘴向表面供给有机溶剂;以及控制部。控制部执行第一处理和第二处理,第一处理为控制旋转保持部和处理液供给部,在旋转保持部使基板旋转时,使处理液喷嘴向表面供给处理液,第二处理为控制溶剂供给部,在处理液由于伴随基板的旋转产生的离心力而到达基板外周缘之前,使喷出喷嘴在比外周缘靠外侧的位置向下方喷出有机溶剂。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质。
背景技术
当前,在对基板(例如半导体晶圆)进行微细加工来制造半导体器件时,广泛地进行使用光刻技术在基板形成凹凸图案的处理。例如,在基板形成凹凸图案的工序包括:在晶圆的表面形成抗蚀膜;按照规定的图案对该抗蚀膜进行曝光;利用显影液使曝光后的抗蚀膜显影来形成抗蚀图案;以及经由抗蚀图案对基板进行蚀刻。
在晶圆的表面形成抗蚀膜时,例如采用旋转涂布法。旋转涂布法为如下的方法:向旋转的基板的表面喷出抗蚀液,由此通过离心力使抗蚀液扩散,遍及基板的整面地涂布抗蚀液。根据旋转涂布法,在进行抗蚀液的涂布时,有时抗蚀液从基板的周缘绕到基板的背面。这是因为当基板高速旋转时,在基板的背面侧产生负压,在基板的背面侧产生要朝向中心轴侧的空气的流动。因此,专利文献1公开了在与基板的背面相向的基底构件设置通气孔的技术。由此,空气通过通气孔进行流动,因此抑制基板的背面侧成为负压。
专利文献1:日本特开平11-283899号公报
发明内容
近年来,在进行MEMS(MicroElectro Mechanical Systems:微电子机械系统)等的制造时,为了立体地加工基板,有时在基板的表面形成膜厚度例如5μm~60μm左右的厚的抗蚀膜(抗蚀厚膜)。作为抗蚀厚膜的材料,例如使用粘度高且在基板的表面不易流动的涂布液(例如聚酰亚胺)。这样的涂布液的粘度例如为2000cP左右及以上。
当在向基板的表面滴下该涂布液并且使基板进行某程度高旋转的状态下进行旋转涂布时,该涂布液被涂布于基板的整个表面,涂布膜的膜厚度的均匀性提高。然而,很多涂布液从基板的外周缘朝向外方甩出,因此难以使形成的涂布膜的膜厚度成为期望的大小。
另一方面,当为了得到膜厚度厚的抗蚀膜而在向基板的表面滴下该涂布液并且使基板进行某程度低旋转的状态下进行旋转涂布时,涂布膜的一部分从基板的外周缘甩出。涂布液为高粘度,因此从基板的外周缘甩出的涂布膜从外周缘呈线状延长,形成从外周缘朝向径向外方延伸的线状部。在该过程中,涂布膜和线状部逐渐干燥而凝胶化。凝胶化后的线状部朝向基板的下方垂下,相互缠绕而成为棉状的块(以下称作“棉状块”。)。
在专利文献1所记载的清洗装置中,抑制基板的背面侧成为负压,因此抑制凝胶化的线状部在基板的背面侧缠绕。然而,没有防止棉状块自身的产生,因此需要用于去除棉状块的定期维护。
因此,本公开说明能够抑制棉状块的产生的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造