[发明专利]一种太阳能电池片的处理方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片的处理方法，包括以下步骤：

S1：提供太阳能电池片，所述太阳能电池片包括硅基体(1)，形成在所述硅基体(1)的第一主表面(11)上的第一硅薄膜层(2)，以及形成在所述硅基体(1)的第二主表面(13)的部分表面和所述硅基体(1)的侧面上的第二硅薄膜层(3)；

S2：采用化学氧化工艺在第一硅薄膜层(2)上形成第一保护层(4)，在第二硅薄膜层(3)和第二主表面(13)未形成第二硅薄膜层(3)的表面上形成第二保护层(5)；

S3：采用第一刻蚀溶液去除第二保护层(5)；

S4：采用第二刻蚀溶液去除第二硅薄膜层(3)；

S5：采用第一刻蚀溶液去除第一保护层(4)，形成单面设有硅薄膜的太阳能电池片。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S1中，所述太阳能电池片还包括形成在所述硅基体(1)上的钝化介质层(6)，所述钝化介质层(6)设于硅基体(1)和第一硅薄膜层(2)之间，所述钝化介质层(6)为氧化硅层、氧化钛层和氮氧化硅层中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为0.5nm～10nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：在步骤S3中，采用第一刻蚀溶液去除第二保护层(5)时，在第一保护层(4)上形成水膜保护层。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S1中所述的第一硅薄膜层(2)和第二硅薄膜层(3)为本征硅薄膜层和/或掺杂的硅薄膜层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：所述的本征硅薄膜层为多晶硅薄膜层、微晶硅薄膜层、非晶硅薄膜层和氧化硅薄膜层中的一种或者几种的叠层膜层；所述的掺杂的硅薄膜层为掺杂的多晶硅薄膜层、微晶硅薄膜层、非晶硅薄膜层和氧化硅薄膜层中的一种或者几种的叠层膜层，其中掺杂的元素为磷或硼。

6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S1中所述的第一硅薄膜层(2)的厚度为5nm～500nm；所述第二硅薄膜层(3)的厚度为0～500nm。

7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S2所述的化学氧化工艺为臭氧氧化工艺、硝酸氧化工艺和双氧水氧化工艺中的一种。

8.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S2所述的第一保护层(4)和第二保护层(5)为氧化硅层。

9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S3中和步骤S5中所述的第一刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

10.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片的处理方法，其特征是：步骤S4中所述的第二刻蚀溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液或四甲基氢氧化铵溶液。