[发明专利]一种太阳能电池片的处理方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池片的处理方法，包括以下步骤：S1：提供太阳能电池片，太阳能电池片包括硅基体，形成在所述硅基体的第一主表面上的第一硅薄膜层，以及形成在所述硅基体的第二主表面的部分表面和所述硅基体的侧面上的第二硅薄膜层；S2：采用化学氧化工艺在第一硅薄膜层上形成第一保护层，在第二硅薄膜层和第二主表面未形成第二硅薄膜层的表面上形成第二保护层；S3：采用第一刻蚀溶液去除第二保护层；S4：采用第二刻蚀溶液去除第二硅薄膜层；S5：采用第一刻蚀溶液去除第一保护层，形成单面设有硅薄膜的太阳能电池片。该方法采用纯化学方法实现单面刻蚀绕镀面的硅薄膜，工艺简洁，而且不受硅薄膜厚度的限制。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池片的处理方法。

背景技术

晶体硅太阳能电池要想获得高效率，其晶体硅基体表面必须具有良好的钝化将少数载流子的表面复合速率控制到最小，从而获得较高的开压、电流和填充因子。硅表面钝化的常用手段主要是利用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、硅等单层或多层介质膜结构通过将硅基体表面的悬挂键浓度降低来抑制表面复合速率。

近几年来，通过在硅基体的背面生长一层超薄的钝化介质层(通常为氧化层)和一层掺杂的硅薄膜，以掺杂的硅薄膜作为金属电接触的缓冲层，可以实现很好的钝化接触性能，电池效率可达到25.1％。

目前规模化的工业生产都用管式的低压化学气相沉积(LPCVD)或者等离子化学气相沉积(PECVD)的等设备生长硅薄膜。在只需要在硅基体的一侧表面生长硅薄膜时，往往会在硅基体不需要生长硅薄膜的一侧表面以及四个侧面都沉积一部分硅薄膜(即硅薄膜绕镀至硅基体的另一侧表面及四个侧面)，此时，需要将绕镀的硅薄膜去除。

通常需要在镀膜面制备一层掩膜层来做去除硅薄膜绕镀时的保护膜，然后进行双面刻蚀以去除绕镀面的硅薄膜，而硅薄膜在保护膜的作用下得到保护未被刻蚀，最后去除掩膜层，得到单面硅薄膜，现有方法需要做掩膜工艺，工艺流程较为复杂。专利CN107644924A提供一种硅薄膜单面去除方法，先在硅基体表面化学气相沉积保护膜的方式，然后采用了高温炉管氧化工艺，最后去除被氧化的硅薄膜及保护膜。该专利不仅需要掩膜层，而且要进炉管氧化，工艺复杂，不具有实用性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池片的处理方法，该方法可省去常规去除硅薄膜绕镀方法中的沉积掩膜(镀膜)工艺步骤，并可以集成在一台设备中，具有工艺简洁、稳定可控、可批量生产的优点。

本发明的上述目的是通过以下技术方案来实现的：

一种太阳能电池片的处理方法，包括以下步骤：

S1：提供太阳能电池片，所述太阳能电池片包括硅基体，形成在所述硅基体的第一主表面上的第一硅薄膜层，以及形成在所述硅基体的第二主表面的部分表面和所述硅基体的侧面上的第二硅薄膜层；

S2：采用化学氧化工艺在第一硅薄膜层上形成第一保护层，在第二硅薄膜层和第二主表面未形成第二硅薄膜层的表面上形成第二保护层；

S3：采用第一刻蚀溶液去除第二保护层；

S4：采用第二刻蚀溶液去除第二硅薄膜层；

S5：采用第一刻蚀溶液去除第一保护层，形成单面设有硅薄膜的太阳能电池片。

在上述太阳能电池片的处理方法中：

作为本发明的一种改进：步骤S1中，太阳能电池片还包括形成在硅基体上的钝化介质层，所述钝化介质层设于硅基体和第一硅薄膜层之间，所述钝化介质层为氧化硅层、氧化钛层和氮氧化硅层中的一种单层膜或几种的叠层膜，其厚度为0.5nm～10nm。

可选地，步骤S1中采用低压化学气相沉积法(LPCVD)或等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在硅基体上形成第一硅薄膜层和第二硅薄膜层。