[发明专利]一种半导体器件的终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环（3），连续场限环（3）间设置有若干个间隔场限环（4），所述间隔场限环（4）由若干个间隔分布的场限环注入区（5）包围呈环形，且若干个间隔场限环（4）、间隔场限环（4）与连续场限环（3）均连成一片，形成以场限环注入区（5）为中心的浓度渐变梯度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的终端结构，其特征在于：在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）上设有场氧化层（6），所述场氧化层（6）上覆盖有间隔分布的栅极导电多晶硅（8）和浮空导电多晶硅（18），所述栅极导电多晶硅（8）、浮空导电多晶硅（18）及场氧化层（6）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）上设有栅极金属（11）与终端金属（12），所述栅极金属（11）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与栅极导电多晶硅（8）接触，所述终端金属（12）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与浮空导电多晶硅（18）接触。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的终端结构，其特征在于：在终端保护区的最外侧还设有截止环结构，所述截止环结构包括位于第一导电类型漂移区（2）内的第二导电类型阱区（15）、位于第二导电类型阱区（15）内的第一导电类型阱区（16）及截止环金属（17），所述截止环金属（17）穿过绝缘介质层（9）分别与浮空导电多晶硅（18）、第一导电类型阱区（16）接触。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的终端结构，其特征在于：在有源区，在所述第一导电类型漂移区（2）内设有第二导电类型体区（13）、位于所述第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）及位于第二导电类型体区（13）间的栅氧化层（7）、栅极导电多晶硅（8），所述栅氧化层（7）位于栅极导电多晶硅（8）下方，所述栅极导电多晶硅（8）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）的通孔内填充有源极金属（10），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）接触。

5.根据权利要求1所述的一种半导体器件的终端结构，其特征在于：在有源区到终端保护区的过渡区，靠近有源区的连续场限环（3）与第一导电类型漂移区（2）内的第二导电类型体区（13）连接，且第二导电类型体区（13）的结深小于连续场限环（3）的结深。