[发明专利]一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置

权利要求书

1.一种基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，由可伸缩支架（1）、上样孔道板（2）、样品刮板（3）以及样品压板（4）组成，其特征在于：可伸缩支架（1）的四个边通过手动拉伸的方式调整长度，保证其与所用靶板尺寸一致；可伸缩支架（1）的四个角分别设有一个高度可以调节的四角支柱（5），四角支柱（5）上设有平面凸台（6），平面凸台（6）可以随四角支柱（5）的高度调节在竖直方向上移动；上样孔道板（2）由平面凹槽（8）和在平面凹槽（8）上阵列分布的孔道（7）组成，其中，孔道（7） 从上样孔道板（2）表面贯穿至底部，孔道（7）的阵列分布与所用靶板上的靶点阵列分布一致；样品压板（4）上均匀分布着与孔道（7）阵列相对应的柱形凸出（9），柱形凸出（9）与孔道（7）的阵列分布及与孔道（7）的形状一致，且柱形凸出（9）高度比孔道（7）深度长0.01- 50 mm；样品刮板（3）的截面为三角形。

2.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：上样孔道板（2）、可调节支架（1）、样品刮板（3）和样品压板（4）的材料均选用铝材、不锈钢或者塑料中的任一种。

3.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：上样之前，调节四角支柱（5）的高度使上样孔道板（2）与所用靶板紧密贴合。

4.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：孔道（7）为圆锥台形或圆柱形。

5.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：孔道（7）所能容纳样品体积为0.1μL - 5μL。

6.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：孔道（7）底面直径为0.1 - 10 mm。

7.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：上样孔道板（2）厚度在0.1 - 50 mm。

8.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：样品进入孔道后，在竖直方向上，上孔道板（2）与所用靶板可分离0 - 50 mm。

9.根据权利要求1所述的基质辅助激光解析质谱大批量上样装置，其特征在于：孔道（7）轴心应与靶板上靶点轴心相差0.1- 5 mm。