[发明专利]参考电压产生电路和包括其的集成电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，包括：

运算放大器，具有连接到第一节点的第一输入端子，并且具有连接到第二节点的第二输入端子；

第一晶体管，连接在接地端子和所述第一节点之间，其中第一电流在所述第一晶体管中流动；

第二晶体管，连接到所述接地端子；

第一可变电阻器，连接在所述第二晶体管和所述第二节点之间，所述第一可变电阻器具有第一电阻值，所述第一电阻值用于基于由形成所述第一晶体管的工艺的变化引起的所述第一晶体管的电流特性的改变来调整所述第一电流；

电流源，被配置为基于所述运算放大器的输出电压，向第三节点提供第一参考电流以及向第四节点提供第二参考电流；以及

第二可变电阻器，连接在所述第一节点和所述第三节点之间，所述第二可变电阻器具有与所述第一可变电阻器的第一电阻值成比例的第二电阻值，

其中，所述参考电压产生电路基于所述第一节点的电压和所述第一可变电阻器两端的电压提供参考电压，以及

其中，所述参考电压从所述第三节点输出。

2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其中所述第一晶体管的电流特性是所述第一可变电阻器两端的电压相对于所述第一电流的扩展。

3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其中，当所述第一可变电阻器从初始设计的电阻值改变为所述第一电阻值时，所述第一电流变化并且所述第一可变电阻器两端的电压的扩展减小。

4.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其中：

所述第一晶体管包括第一双极结型晶体管BJT，以及

所述第二晶体管包括第二BJT。

5.如权利要求4所述的参考电压产生电路，其中，所述第一晶体管的第一电流是所述第一BJT的发射极电流。

6.如权利要求4所述的参考电压产生电路，其中：

所述第一BJT具有连接到所述接地端子的集电极和基极，以及连接到所述第一节点的发射极，以及

所述第二BJT具有连接到所述接地端子的集电极和基极，以及连接到所述第一可变电阻器的发射极。

7.如权利要求4所述的参考电压产生电路，其中：

所述第一BJT具有连接到所述第一节点的集电极和基极，以及连接到所述接地端子的发射极，以及

所述第二BJT具有连接到所述第一可变电阻器的集电极和基极，以及连接到所述接地端子的发射极。

8.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其中，所述第一可变电阻器包括：

第一电阻器，连接在所述第二晶体管和所述第二节点之间；以及

第二电阻器和开关，并联连接到所述第一电阻器并且彼此串联连接，并且

其中，所述开关基于所述第一电阻值而接通或关断。

9.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其中，所述第一可变电阻器包括：

第一电阻器，连接到所述第二晶体管；

第二电阻器，连接在所述第一电阻器和所述第二节点之间；

第一开关，并联连接在所述第一电阻器两端；和

第二开关，并联连接在所述第二电阻器两端，并且

其中，所述第一开关和所述第二开关基于所述第一电阻值而接通或关断。

10.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其中，所述第一可变电阻器包括：

第一电阻器，连接到所述第二晶体管；

第二电阻器，连接在所述第一电阻器和所述第二节点之间；

第三电阻器和第一开关，彼此串联连接并且并联连接在所述第一电阻器两端；以及

第四电阻器和第二开关，并联连接到第二电阻器并且彼此串联连接，并且

其中，所述第一开关和所述第二开关基于所述第一电阻值而接通或关断。