[发明专利]经微细粗糙化处理的电解铜箔以及使用其的覆铜基板

说明书

本发明公开一种经微细粗糙化处理的电解铜箔以及使用其的覆铜基板。电解铜箔具有一微粗糙表面，且微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于山形结构的凹陷结构。其中依据国际标准ISO25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度(Sa)与顶点密度(Spd)的乘积(Sa×Spd)为150000至400000微米/平方毫米，且依据日本工业标准JIS B0601‑2001所测定多个所述山形结构的算术平均起伏(Wa)大于0.06微米且小于等于1.5微米。借此，电解铜箔能够兼顾接合强度与电气性能。

技术领域

本发明涉及一种电解铜箔及其应用，特别是涉及一种经微细粗糙化处理的电解铜箔以及使用其的覆铜基板。

背景技术

随着信息和电子产业的发展，高频高速的信号传输已成为现代电路设计与制造的一环。电子产品为了能符合高频高速的信号传输需求，所采用的铜箔基板在高频下需要有良好的介入损失(insertion loss)表现，以防止高频信号在传递时产生过度的损耗。铜箔基板的介入损失与其表面粗糙度有高度关联。当表面粗糙度降低时，介入损失有较佳的表现，反之则否。但是降低粗糙度的同时，也会导致铜箔与基材间的剥离强度下滑，影响到后端产品的良率。因此，如何将剥离强度维持在业界水平，并提供良好的介入损失表现，已成为本领域所欲解决的课题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种经微细粗糙化处理的电解铜箔。并且，提供一种使用此经微细粗糙化处理的电解铜箔的覆铜基板。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是：一种经微细粗糙化处理的电解铜箔，其具有一微粗糙表面，且所述微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于所述山形结构的凹陷结构。其中，依据国际标准ISO25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度(Sa)与顶点密度(Spd)的乘积(Sa×Spd)为150000至400000微米/平方毫米，且依据日本工业标准JIS B0601-2001所测定多个所述山形结构的算术平均起伏(Wa)大于0.06微米且小于等于1.5微米。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是：一种覆铜基板，其包括一基板以及一经微细粗糙化处理的电解铜箔。所述经微细粗糙化处理的电解铜箔贴附在所述基板的一表面上，且具有一微粗糙表面与所述表面接合，其中所述微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于所述山形结构的凹陷结构。其中，依据国际标准ISO25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度(Sa)与顶点密度(Spd)的乘积(Sa×Spd)为150000至400000微米/平方毫米，且依据日本工业标准JIS B0601-2001所测定多个所述山形结构的算术平均起伏(Wa)大于0.06微米且小于等于1.5微米。

在本发明的一实施例中，多个所述山形结构的Sa×Spd为240000至350000微米/平方毫米。

在本发明的一实施例中，多个所述山形结构的算术平均起伏(Wa)大于0.1微米且小于1.5微米。

在本发明的一实施例中，每一所述凹陷结构具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓。

在本发明的一实施例中，依据日本工业标准JIS 94所测定所述微粗糙表面的表面粗糙度(Rz)小于等于2.3微米。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的经微细粗糙化处理的电解铜箔，其能通过将微粗糙表面的算术平均高度(Sa)与顶点密度(Spd)的乘积(Sa×Spd)与算术平均起伏(Wa)控制在特定范围内，以有效降低信号的传输损耗，而不致降低铜箔与基材之间的接合力，也就是可以兼顾铜箔的接合力与信号传输损耗。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与图式，然而所提供的图式仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明的经微细粗糙化处理的电解铜箔的结构示意图。