[发明专利]硅芯片封装引线框架及其封装方法

权利要求书

1.一种硅芯片封装引线框架，包括：

(1)框架体和多个安装单元；框架体包括边框和粗中筋，粗中筋位于边框内，其两端横向延伸后与边框连接；多个安装单元以纵横排列的方式设置在框架体上；

(2)每一个安装单元均包括一块用于固定硅芯片的载芯板和设置于载芯板一侧的三个引脚；

(3)每一个引脚均由内引脚与外引脚两部分组成，内引脚与外引脚共同构成硅芯片封装完毕后所形成的电子元件管脚；

(4)在载芯板用于固定硅芯片的板面上设有多个凹坑；

其特征在于：在相邻的每2列安装单元的中间设置一条纵向延伸的塑封料注塑流道，在靠近该流道的安装单元朝向该流道的一侧设置有注塑口；在设置于载芯板一侧的三个引脚中，有一个引脚分别与载芯板和框架体直接连接，另外两个引脚只通过tim bar与框架体连接，三个引脚之间也连接有tim bar，在所述引脚的内引脚处设有加宽的金属板。

2.如权利要求1所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：在所述载芯板的另一侧设置有两个或三个引脚，其中，有一个引脚分别与载芯板和框架体直接连接，其他引脚只通过tim bar与框架体相连，所述两个或三个引脚之间也连接有tim bar。

3.如权利要求2所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：所述凹坑为楔形盲孔，其坑口面积大于坑底面积。

4.如权利要求3所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：所述凹坑的坑口和坑底形状都是正方形，坑口正方形边长为0.10mm，坑底正方形边长为0.05mm，凹坑的深度为0.05mm。

5.如权利要求1至4任一项所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：在所述载芯板用于固定硅芯片的板面上，所述凹坑水平中心间距0.635mm，垂直中心间距0.508mm。

6.如权利要求1至4任一项所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：所述三个引脚之间的tim bar的形状为矩形，水平边长为1.53mm，垂直边长为0.80mm。

7.如权利要求1至4任一项所述的硅芯片封装引线框架，其特征在于：所述金属板的水平边长为0.835mm，垂直边长为0.686mm。

8.一种硅芯片封装方法，依序包括以下步骤：

步骤1，制作如权利要求1至7任一项所述的硅芯片封装引线框架，所述凹坑采用机械冲压方式成型；

步骤2，粘片，将硅芯片固定在所述载芯板上；

步骤3，压焊，通过内引线将硅芯片的引脚与所述安装单元中的对应引脚连接起来；

步骤4，塑封，将塑封料粘接在引线框架的载芯板上，由塑封料将硅芯片、内引线、引线框架以及与内引线连接的引脚端密封起来，并使塑封料进入到所述凹坑内

步骤5，热老化，对塑封后的产品进行热处理，热处理的温度为200～250℃，持续时间为2～3小时，或者热处理的温度为175±5℃，持续时间为6～8小时；

步骤6，成型分离，将在引线框架上封装而成的电子元件切割分离出来，形成独立的电子元件。

9.如权利要求8所述的硅芯片封装方法，其特征在于：在执行所述步骤1之后，执行所述步骤2之前，对所述引线框架进行预热处理，温度在250～350℃之间，持续时间为15～30秒，预热处理后，保持引线框架的温度至执行所述步骤2。

10.如权利要求8所述的硅芯片封装方法，其特征在于：所述引线框架材质是铜或镀铜金属，所述塑封料是环氧树脂，在执行所述步骤3之后，执行所述步骤4之前，对所述引线框架进行加热，加热处理温度在120～180℃之间，持续时间为100～120分钟，其作用是促进所述引线框架表面所含铜材质的氧化。