[发明专利]快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构

权利要求书

1.一种快闪存储器，包括：

一基板；

一第一浮置栅极结构，位于该基板上，其中该第一浮置栅极结构包括：

一第一部分，具有一第一上表面与一第一厚度；

一第二部分，具有一第二上表面与一第二厚度，且该第二厚度不同于该第一厚度；以及

一第一侧壁表面，连接该第一上表面与该第二上表面，其中该第一浮置栅极结构的该第一上表面与该第一侧壁表面之间的一第一角度为钝角；

一第二浮置栅极结构，位于该基板上，其中该第二浮置栅极结构包括：

一第三部分，具有一第三上表面；

一第四部分，具有一第四上表面；以及

一第二侧壁表面，连接该第三上表面与该第四上表面，其中该第二浮置栅极结构的该第三上表面与该第二侧壁表面之间的一第二角度为锐角；以及

一控制栅极结构，位于该第一浮置栅极结构的该第一部分与该第二部分上。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，还包括：

一字元线与一抹除栅极结构，位于该基板上与该第一浮置栅极结构的两侧外侧侧壁上。

3.如权利要求2所述的快闪存储器，还包括：

一第一介电侧壁结构，位于该字元线与该第一浮置栅极结构之间；以及

一第二介电侧壁结构，位于该抹除栅极与该第一浮置栅极结构之间。

4.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该第一上表面高于该第二上表面。

5.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该第一上表面与该第一浮置栅极结构的下表面之间相隔的距离，不同于该第二上表面与该第一浮置栅极结构的下表面之间相隔的距离。

6.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该第一浮置栅极结构的第一上表面、该第二上表面与该第一侧壁表面的总面积，大于该浮置栅极结构的下表面的总面积。

7.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该第一浮置栅极结构的该第二上表面与该第一侧壁表面之间的角度为锐角。

8.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该控制栅极结构的一侧壁表面，与该第一浮置栅极结构的该第一侧壁表面具有类似形状。

9.如权利要求1所述的快闪存储器，其中该控制栅极结构包括：

一第五部分，具有一第五厚度，其中该第五部分形成于该第一浮置栅极结构的该第一部分上；以及

一第六部分，具有一第六厚度，且该第六厚度与该第五厚度不同，其中该第六部分形成于该第一浮置栅极结构的该第二部分上。

10.如权利要求9所述的快闪存储器，其中该第一浮置栅极结构的该第一部分的该第一厚度与该控制栅极结构的该第五部分的该第五厚度的总和，等于该第一浮置栅极结构的该第二部分的该第二厚度与该控制栅极结构的该第六部分的该第六厚度的总和。

11.如权利要求10所述的快闪存储器，其中该控制栅极结构的该第五部分具有一第三下表面，该控制栅极结构的该第六部分具有一第四下表面，且该第四下表面低于该第三下表面。

12.如权利要求11所述的快闪存储器，还包括：

一介电层，位于该控制栅极结构与该第一浮置栅极结构之间，其中该介电层包括：

一介电上表面，接触该第三下表面、该第四下表面、与该控制栅极结构的该侧壁表面；以及

一介电下表面，与该介电上表面相对，其中该介电下表面接触该第一上表面、该第二上表面、与该第一浮置栅极结构的该第一侧壁表面。