[发明专利]快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构

说明书

本发明实施例关于快闪存储器与其形成方法及快闪存储器结构。快闪存储器包括基板与浮置栅极结构于基板上。浮置栅极结构包括第一部分，其具有第一上表面与第一厚度。浮置栅极结构亦包括第二部分，其具有第二上表面与第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度。浮置栅极结构还包括侧壁表面，其连接第一上表面与第二上表面，且浮置栅极结构的第一上表面与侧壁表面之间的第一角度为钝角。快闪存储器亦包括控制栅极结构于浮置栅极结构的第一部分与第二部分上。

技术领域

本发明实施例关于快闪存储器，更特别关于具有不同侧壁表面厚度的快闪存储器。

背景技术

非易失性存储器通常用于多种装置如电脑。非易失性存储器为存储装置的种类之一，其于电源关闭后仍可保存数据。非易失性存储器的例子包含快闪存储器、电性可程序化的只读存储器、与电性可抹除与可程序化的只读存储器。非易失性存储器的功能包含程序化、读取、与抹除等步骤。

每一非挥发性存储单元可为包含浮置栅极与控制栅极的场效晶体管。浮置栅极可设置为维持电荷，并可形成于半导体基板的主动区上的氧化物层上。浮置栅极与半导体基板中的源极/漏极区之间，可隔有氧化物层。

发明内容

在一些实施例中，快闪存储器包括基板与浮置栅极结构位于基板上。浮置栅极结构包括第一部分，其具有第一上表面与第一厚度。浮置栅极结构亦包括第二部分，其具有第二上表面与第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度。浮置栅极结构还包括侧壁表面，连接第一上表面与第二上表面，其中浮置栅极结构的第一上表面与侧壁表面之间的第一角度为钝角。快闪存储器亦包括控制栅极结构，其位于浮置栅极结构的第一部分与第二部分上。

在一些实施例中，快闪存储器结构包括第一浮置栅极结构。第一浮置栅极结构包括第一部分，其具有第一上表面与第一厚度。第一浮置栅极结构包括第二部分，其具有第二上表面与第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度，并具有第一外侧侧壁，且第一外侧侧壁具有第一外侧侧壁厚度。快闪存储器结构包括第二浮置栅极结构。第二浮置栅极结构包括第三部分，其具有第三上表面与第三厚度。第二浮置栅极结构亦包括第四部分，其具有第四上表面与第四厚度且第四厚度不同于第三厚度，并具有第二外侧侧壁，且第二外侧侧壁具有第二外侧侧壁厚度。第一外侧侧壁厚度与第二外侧侧壁厚度不同。

在一些实施例中，快闪存储器的形成方法包括：沉积浮置栅极材料于基板上，并搭配遮罩层蚀刻浮置栅极材料，以形成浮置栅极材料的第一部分与第二部分。第一部分包括第一上表面与第一厚度。第二部分包括第二上表面与第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度。方法亦包括沉积介电层于第一上表面、第二上表面、与连接第一上表面与第二上表面的侧壁表面上。第一上表面与侧壁表面之间的第一角度为钝角。方法亦包括形成控制栅极结构于介电层上。

附图说明

图1至图2是一些实施例中，具有非垂直侧壁的阶状浮置栅极的快闪存储装置的剖视图。

图3A至图8是一些实施例中，耦合比例与多种数据保存/抹除能力增进的快闪存储装置的剖视图。

图9是一些实施例中，形成快闪存储装置的例示性方法的流程图。

附图标记说明：

α、β、β*、θ、 侧壁角度

t₁、t₁*、t₂、t₂*、t₃、t₄、t₅、t₆、t₇、t₈、t₉、t₁₀、t₁₁、t₁₂、t₁₃ 厚度

w₁、w₂、w₃ 宽度

100 快闪存储器结构