[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个导电结构，其被布置在衬底上，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，所述多个导电结构中的每一个在所述第一方向上延伸；

多个接触结构，其按照交替布置的方式被布置在所述导电结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开；

多个绝缘结构，所述绝缘结构中的每一个被布置在交替布置的所述导电结构和所述接触结构之间的空间中；以及

间隔件，其被分别布置在交替布置的所述导电结构与所述接触结构之间，并且所述间隔件在所述第一方向上彼此间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔件包括空气间隔件。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔件填充有包括氮化硅和氧化硅中的至少一种的绝缘材料。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘结构的每个绝缘结构包括位于其中的空气间隙，并且其中所述空气间隔件被成对地分别布置在所述导电结构的相对的侧壁上。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个接触结构中的每一个的上表面被布置为低于所述导电结构中的每一个的上表面，并且被布置为高于所述空气间隔件的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接触结构中的每一个在所述第二方向上的上部宽度大于所述接触结构在所述第二方向上的下部宽度。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个接触结构的上表面被布置为低于所述空气间隔件的上表面。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个导电结构中的每一个包括彼此堆叠的导电图案和第一掩模图案。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个导电结构中的每一个还包括所述第一掩模图案的上部侧壁上的第二掩模图案，并且所述第二掩模图案在所述第二方向上的宽度小于所述空气间隔件在所述第二方向上的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二掩模图案在所述第二方向上的下部宽度大于所述第二掩模图案在所述第二方向上的上部宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触结构在所述第二方向上并排布置。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述导电结构和在所述接触结构之间的所述空间的下部在所述第二方向上具有第一宽度，所述空间的中部具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述空间的上部具有小于所述第二宽度的第三宽度。

13.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述空气间隔件包括被布置在交替布置的所述导电结构和所述接触结构之间的第一空气间隔件，并且还包括被布置在所述多个导电结构与所述多个绝缘结构之间的第二空气间隔件。

14.一种半导体装置，包括：

多个导电结构，其被布置在衬底上，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，所述多个导电结构中的每一个在所述第一方向上延伸，所述多个导电结构中的每一个包括彼此堆叠的导电图案和第一掩模图案；

多个接触结构，其按照交替布置方式被布置在所述导电结构之间，以接触所述衬底的表面，并且所述多个接触结构在所述第一方向上彼此间隔开；

多个绝缘结构，所述绝缘结构中的每一个被布置在交替布置的所述多个导电结构和所述多个接触结构之间的空间中，所述多个绝缘结构中的每一个包括位于其中的空气间隙；以及

空气间隔件，其分别布置在所述多个导电结构与所述多个接触结构之间；并且

其中，所述空气间隔件和所述空气间隙面对所述导电结构的导电图案。