[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201811360494.9 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN110034094A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 李基硕;金奉秀;金志永;韩成熙;黄有商 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电结构 接触结构 半导体装置 交替布置 绝缘结构 空气间隔 衬底 垂直 延伸 | ||
一种半导体装置,包括多个导电结构,所述多个导电结构被布置在衬底上,并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,其中多个导电结构中的每一个在第一方向上延伸。多个接触结构按照交替布置的方式被布置在导电结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开。多个绝缘结构被布置在导电结构和接触结构之间的空间中。多个空气间隔件分别被布置在交替布置的多个导电结构和多个接触结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开。
相关申请的交叉引用
于2017年11月17日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专 利申请No.10-2017-0154317通过引用整体并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例实施例涉及半导体装置的集成及其制造方法。 更具体地说,本发明构思的示例实施例涉及包括导电结构的半导体装 置的布线结构及其制造方法。
背景技术
随着半导体装置变得更加高度集成,诸如位线结构的布线的高 宽比增大。因此,在布线之间形成接触结构可较困难。
发明内容
本发明构思的示例实施例提供了一种半导体装置,其包括具有 减小的电容和低电阻的布线结构。
根据本发明构思的示例实施例,提供了一种半导体装置。该半 导体装置包括:多个导电结构,其被布置在衬底上,并且在实质上垂 直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,多个导电结构中的每一个在 第一方向上延伸;多个接触结构,其按照交替布置的方式被布置在导 电结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开;多个绝缘结构,绝缘结 构中的每一个被布置在交替布置的导电结构和接触结构之间的空间 中;以及间隔件,其分别被布置在交替布置的导电结构与接触结构之 间,并且间隔件在第一方向上彼此间隔开。
根据本发明构思的示例实施例,提供了一种半导体装置。该半 导体装置包括:多个导电结构,它们排列在衬底上,并且在实质上垂 直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,多个导电结构中的每一个在 第一方向上延伸,多个导电结构中的每一个包括彼此堆叠的导电图案 和第一掩模图案;多个接触结构,其按照交替布置方式被布置在导电 结构之间,以接触衬底的表面,并且多个接触结构在第一方向上彼此 间隔开;多个绝缘结构,绝缘结构中的每一个被布置在交替布置的多 个导电结构和多个接触结构之间的空间中,多个绝缘结构中的每一个 包括位于其中的空气间隙;以及空气间隔件,其分别被布置在多个导电结构与所述多个接触结构之间;并且其中,空气间隔件和空气间隙 面对导电结构的导电图案。
根据本发明构思的示例实施例,提供了一种半导体装置。该半 导体装置包括:多个导电结构,其被布置在衬底上,并且在实质上垂 直于第一方向的第二方向上彼此间隔开,多个导电结构中的每一个在 第一方向上延伸;多个接触结构,其按照交替布置方式被布置在导电 结构之间,并且在第一方向上彼此间隔开,多个接触结构中的每一个 的上表面低于多个导电结构中的每一个的上表面;多个绝缘结构,其 被分别布置在交替布置的多个导电结构和多个接触结构之间的空间 中;以及空气间隔件,其被布置在多个导电结构与所述多个接触结构 之间,并且在所述第一方向上彼此间隔开。
根据本发明构思的示例实施例,可在导电结构与接触结构之间 设置空气间隔件,并且可在导电结构与绝缘结构之间设置空气间隙, 以减小寄生电容。
根据本发明构思的示例实施例,间隔件包括空气间隔件。
根据本发明构思的示例实施例,间隔件填充有包括氮化硅和氧 化硅中的至少一种的绝缘材料。
根据本发明构思的示例实施例,空气间隔件包括布置在交替布 置的导电结构与接触结构之间的第一空气间隔件,并且还包括布置在 多个导电结构与多个绝缘结构之间的第二空气间隔件。
附图说明
本领域普通技术人员从下文结合附图的详细描述中将更清楚地 理解本发明构思的示例实施例。图1至图47表示本文描述的本发明 构思的非限制性示例实施例。
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