[发明专利]一种导电结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811361331.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109545739A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 徐杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电结构 还原性气体 衬底 沉积 半导体技术领域 预处理 多晶硅层 空隙缺陷 气体处理 电性能 晶圆 去除 填充 保证 | ||
1.一种导电结构的形成方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供包括衬底的晶圆，所述衬底上形成有沟槽；
步骤S2，采用一还原性气体对所述沟槽进行预处理；
步骤S3，采用一气体处理工艺将所述沟槽中的所述还原性气体去除；
步骤S4，采用一沉积工艺于所述沟槽中沉积用于填充所述沟槽的多晶硅层，以形成导电结构。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S1和所述步骤S2之间包括一中间步骤，将所述晶圆放置于无氧环境中。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述无氧环境为氮气环境。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述还原性气体为氢气。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述氢气的量为1～3L。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述预处理持续1～3min。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述气体处理工艺具体为：
将所述还原性气体抽出。
8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述沉积工艺具体为：
采用甲硅烷并进行高温处理工艺，以形成填充所述沟槽的所述多晶硅层。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述高温处理工艺的温度环境为550～650℃。
10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述高温处理工艺的压强环境为0.1～0.2torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811361331.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空气桥制造方法
- 下一篇：金属互连结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
