[发明专利]一种导电结构的形成方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导电结构的形成方法，包括：步骤S1，提供包括衬底的晶圆，衬底上形成有沟槽；步骤S2，采用一还原性气体对沟槽进行预处理；步骤S3，采用一气体处理工艺将沟槽中的还原性气体去除；步骤S4，采用一沉积工艺于沟槽中沉积用于填充沟槽的多晶硅层，以形成导电结构；能够避免形成具有空隙缺陷的导电结构，保证了导电结构具有优良的电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导电结构的形成方法。

背景技术

在半导体器件中，例如闪存器件中，一般都需要在晶圆中形成用于对上下的结构进行电性连接的导电结构。这样的导电结构一般形成在沟槽中，形成的方式可以是通过炉管在沟槽中填充导电材料。

但是，现有的导电结构在制备的过程中，由于沟槽中容易形成杂质或缺陷，容易导致生长导电材料的过程在这些杂质或缺陷处过于集中，从而影响导电材料生长的均匀性。严重时容易导致导电材料在沟槽中提前封口，从而在沟槽中形成填充不完全的空隙缺陷，这会严重影响器件的电性能。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种导电结构的形成方法，其中，包括：

步骤S1，提供包括衬底的晶圆，所述衬底上形成有沟槽；

步骤S2，采用一还原性气体对所述沟槽进行预处理；

步骤S3，采用一气体处理工艺将所述沟槽中的所述还原性气体去除；

步骤S4，采用一沉积工艺于所述沟槽中沉积用于填充所述沟槽的多晶硅层，以形成导电结构。

上述的形成方法，其中，所述步骤S1和所述步骤S2之间包括一中间步骤，将所述晶圆放置于无氧环境中。

上述的形成方法，其中，所述无氧环境为氮气环境。

上述的形成方法，其中，所述步骤S2中，所述还原性气体为氢气。

上述的形成方法，其中，所述氢气的量为1～3L(升)。

上述的形成方法，其中，所述步骤S2中，所述预处理持续1～3min(分钟)。

上述的形成方法，其中，所述步骤S3中，所述气体处理工艺具体为：

将所述还原性气体抽出。

上述的形成方法，其中，所述步骤S4中，所述沉积工艺具体为：

采用甲硅烷并进行高温处理工艺，以形成填充所述沟槽的所述多晶硅层。

上述的形成方法，其中，所述高温处理工艺的温度环境为550～650℃(摄氏度)。

上述的形成方法，其中，所述高温处理工艺的压强环境为0.1～0.2torr(托)。

有益效果：本发明提出的一种导电结构的形成方法，能够避免形成具有空隙缺陷的导电结构，保证了导电结构具有优良的电性能。

附图说明

图1为本发明一实施例中导电结构的形成方法的步骤流程图；

图2～3为本发明一实施例中导电结构的形成方法形成的结构原理图；

图4为本发明一实施例中多晶硅层的形核点的分布示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种导电结构的形成方法，所形成结构可以如图2～3所示，其中，可以包括：

步骤S1，提供包括衬底10的晶圆，衬底10上形成有沟槽TR；