[发明专利]一种产磁小体铁氧化菌的培养方法

说明书

本发明涉及一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20‑25℃。本发明除培养温度外还进一步考虑了培养基的成分、通氧量等参数对铁氧化菌磁小体产量的影响，最终实现了显著提高磁小体产率的目的。

技术领域

本发明属于生物技术领域，尤其涉及一种产磁小体铁氧化菌的培养方法。

背景技术

趋磁细菌是一类能在菌体内形成纳米级磁性颗粒—磁小体，并能在外部磁场的作用下朝着磁极的一端进行运动的细菌。磁小体具有生物相容性好、粒度均一、纯度高、磁性强和晶型独特等特点，是一种极具应用潜力的天然优质磁性纳米材料资源。从趋磁细菌中提取、纯化的磁小体是单磁畴晶体，由于其具有巨大的表面积与体积比、颗粒均匀、颗粒外被一层生物膜包裹、不易发生聚集、不具细胞毒等特点，使这种纳米级的磁性颗粒在电子通讯、化工、医药卫生、生物技术等高新科技领域有着广泛的潜在应用价值，成为一种新型的有着广阔发展前景的微生物资源。

但是，现如今所应用的磁小体大多分离自Magnetospirillum gryphiswaldenseMSR-1和Magnetospirillum magneticum AMB-1，这两种趋磁细菌的培养条件极为苛刻，磁小体产量较低等缺陷极大的限制了磁小体的应用。中南大学专利“一种用于鉴定细菌趋磁性的方法”中就首次提及了嗜酸性铁氧化菌中磁小体的提取，但其更偏重于细菌趋磁性的鉴定，对磁小体提取方法及得率并未提及。本专利则对其进行了详细阐述。

而目前由于趋磁细菌对培养条件、培养基营养的质量要求和对氧分压大小的要求十分严格，对于大规模培养，如何找到性状更优良的产生磁小体的菌种并获得更有效的提取、纯化磁小体的方法，仍是难题。

发明内容

鉴于现有技术所存在的问题，本发明提供一种本发明主要提供了一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，主要解决现有铁氧化菌培养条件苛刻、磁小体产量较低等问题。本发明属于菌种培育技术领域。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

本发明提供一种产磁小体铁氧化菌的培养方法，包括以下步骤：将产磁小体铁氧化菌接种到培养基中，发酵培养，培养温度为20-25℃。

接种时，产磁小体铁氧化菌可以为产磁小体铁氧化菌菌体或产磁小体铁氧化菌菌液。

本发明的有益效果是：采用合适的温度有利于磁小体合成，如果温度过高将导致磁小体产量降低问题，如果温度过低将到导致磁小体合成不完全，产量低的问题。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述产磁小体铁氧化菌为可以合成磁小体的嗜酸性铁氧化菌。

进一步，发酵培养过程中，通氧量为1.8-5.6L/min。

优选地，通氧量为3.6L/min。

采用上述进一步方案的有益效果是：采用合适的通氧量有利于磁小体合成，如果通氧量过高将导致磁小体合成不完全问题，如果通氧量过低将到导致磁小体合成少、产量低问题。发明人在研究中意外的发现，当通氧量为3.6L/min时，产磁小体效果最好。

进一步，发酵培养的时间为25-32h。

采用上述进一步方案的有益效果是：采用合适的培养时间有利于磁小体合成，如果培养时间过长将抑制磁小体合成，导致磁小体产量低的问题，如果培养时间过短将导致铁全部供应给菌体生长所需，磁小体无法合成问题。

进一步，将产磁小体铁氧化菌的菌液以体积比10％的接菌量接入培养基中。