[发明专利]多管芯封装及方法在审

申请号：	201811363704.X	申请日：	2018-11-16
公开（公告）号：	CN109801892A	公开（公告）日：	2019-05-24
发明（设计）人：	A·里格勒尔;C·法赫曼	申请（专利权）人：	英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号：	H01L23/495	分类号：	H01L23/495;H01L21/60;H01L25/07
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	韩宏;陈松涛
地址：	奥地利***	国省代码：	奥地利;AT
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摘要：
搜索关键词：	封装功率半导体管芯引线框架结构封装主体多管芯覆盖区支撑件耦合到包封顶侧背面配置
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【权利要求书】：

1.一种封装(2)，包封第一功率半导体管芯(11)和第二功率半导体管芯(12)，所述封装(2)具有封装主体(20)，所述封装主体具有封装顶侧(201)和封装覆盖区侧(202)，其中：

-所述第一功率半导体管芯(11)和所述第二功率半导体管芯(12)中的每一个呈现相应的正面(115、125)和与其相对的相应的背面(116、126)，其中，所述第一功率半导体管芯(11)具有布置在其正面(115)的第一负载端子(111)和布置在其背面(116)的第二负载端子(112)，并且其中，所述第二功率半导体管芯(12)具有布置在其正面(125)的第一负载端子(121)和布置在其背面(126)的第二负载端子(122)；

-所述封装(2)包括引线框架结构(21)，所述引线框架结构被配置为将所述封装(2)电气和机械地耦合到支撑件(7)，其中，所述封装覆盖区侧(202)朝向所述支撑件(7)，所述引线框架结构(21)包括：

a)公共基底(210)，其中，所述第一功率半导体管芯(11)的第二负载端子(112)电连接到所述公共基底(210)，所述第一功率半导体管芯的背面(116)朝向所述公共基底(210)，并且其中，所述第二功率半导体管芯(12)的第一负载端子(121)电连接到所述公共基底(210)，所述第二功率半导体管芯的正面(125)朝向所述公共基底(210)；

b)公共外部端子(215)，其延伸出所述封装主体(20)并与所述公共基底(210)电连接；

c)第一外部端子(211)，其延伸出所述封装主体(20)并与所述第一功率半导体管芯(11)的第一负载端子(111)电连接；以及

d)第二外部端子(212)，其延伸出所述封装主体(20)，所述第二外部端子(212)与所述第二功率半导体管芯(12)的第二负载端子(122)电连接并且与所述第一外部端子(211)电绝缘。

2.根据权利要求1所述的封装(2)，其中：

-所述第一功率半导体管芯(11)的第二负载端子(112)是漏极端子、集电极端子和阴极端子中的一个；并且

-所述第二功率半导体管芯(12)的第一负载端子(121)是阳极端子、源极端子和发射极端子中的一个。

3.根据权利要求1或2所述的封装(2)，其中：

-所述第一功率半导体管芯(11)的第一负载端子(111)是源极端子、发射极端子和阳极端子中的一个；以及

-所述第二功率半导体管芯(12)的第二负载端子(122)是阴极端子、漏极端子和集电极端子中的一个。

4.根据前述权利要求之一所述的封装(2)，其中：

-所述第一功率半导体管芯(11)还包括在其正面(115)的控制端子(113)；以及

-所述引线框架结构(21)包括从所述封装主体(20)延伸出的第三外部端子(213)，所述第三外部端子(213)与所述第一功率半导体管芯(11)的控制端子(113)电连接。