[发明专利]多管芯封装及方法在审

专利信息
申请号: 201811363704.X 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109801892A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: A·里格勒尔;C·法赫曼 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60;H01L25/07
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 韩宏;陈松涛
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 封装 功率半导体管芯 引线框架结构 封装主体 多管芯 覆盖区 支撑件 耦合到 包封 顶侧 背面 配置
【说明书】:

发明公开了多管芯封装及方法。该封装(2)包封第一功率半导体管芯(11)和第二功率半导体管芯(12)。封装(2)具有封装主体(20),所述封装主体具有封装顶侧(201)和封装覆盖区侧(202)。第一功率半导体管芯(11)和第二功率半导体管芯(12)中的每一个呈现相应的正面(115、125)和与其相对的相应的背面(116、126)。封装(2)包括引线框架结构(21),所述引线框架结构被配置为将所述封装(2)电气和机械地耦合到支撑件(7),其中,封装覆盖区侧(202)朝向支撑件(7)。

技术领域

本说明书涉及包封第一功率半导体管芯和第二功率半导体管芯的封装的实施例。本说明书还涉及处理半导体晶圆的方法的实施例。另外,本说明书涉及功率转换器的实施例。

背景技术

现代设备在汽车、消费和工业应用中的许多功能,例如转换电能和驱动电动机或电机,都依赖于功率半导体器件。

例如,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和二极管(仅举几例),已经用于各种应用,包括但不限于功率转换器中的开关,例如,电源。

功率半导体器件通常包括一个或多个功率半导体管芯,每个功率半导体管芯集成在单个芯片中,并且被配置为沿着管芯的两个负载端子之间的负载电流路径传导负载电流。此外,可以例如通过绝缘电极(有时称为栅电极)来控制负载电流路径。例如,在从例如驱动器接收到相应的控制信号时,控制电极可以将功率半导体器件设置为导通状态和阻断状态之一。

在制造功率半导体管芯之后,通常例如以允许具有包封的管芯的封装布置在应用内(例如在功率转换器中)的方式将其安装在封装内,例如,使得包封的管芯可以耦合到支撑件,例如印刷电路板(PCB)。

例如,第一功率半导体管芯(例如,晶体管)包封在第一封装内,并且与包封在第二封装内的第二功率半导体管芯(例如二极管)分开。第一封装和第二封装可以彼此分离地安装在应用中,例如,安装在PCB上。通过将第一封装和第二封装彼此电连接,以及电连接其他部件,可以形成功率转换器。

通常希望提供具有紧凑设计、低功率损耗和低杂散电感的功率转换器,其中例如通过连接彼此分开布置的两个封装的电路径可以引起功率损耗和/或杂散电感。

发明内容

根据一个实施例,一种封装包封第一功率半导体管芯和第二功率半导体管芯。该封装具有封装主体,封装主体具有封装顶侧和封装覆盖区侧。第一功率半导体管芯和第二功率半导体管芯中的每一个呈现相应的正面和与其相对的相应的背面,其中,第一功率半导体管芯具有布置在其正面的第一负载端子和布置在其背面的第二负载端子,并且其中,第二功率半导体管芯具有布置在其正面的第一负载端子和布置在其背面的第二负载端子。该封装包括引线框架结构,该引线框架结构被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件,其中,封装覆盖区侧朝向支撑件。引线框架结构包括:a)公共基底,其中,第一功率半导体管芯的第二负载端子电连接到公共基底,第一功率半导体管芯的背面朝向公共基底,并且其中,第二功率半导体管芯的第一负载端子电连接到公共基底,第二功率半导体管芯的正面朝向公共基底;b)公共外部端子,其延伸出封装主体并与公共基底电连接;c)第一外部端子,其延伸出封装主体并与第一功率半导体管芯的第一负载端子电连接;以及d)第二外部端子,其延伸出封装主体,第二外部端子与第二功率半导体管芯的第二负载端子电连接并且与第一外部端子电绝缘。

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