[发明专利]一种高绝缘型引线框架及塑封方法

权利要求书

1.一种高绝缘型引线框架，包括主架体(1)，其特征在于：所述主架体(1)呈工字形，所述主架体(1)上设置有对称布设的至少八组副架体(2)，所述主架体(1)和副架体(2)之间通过连杆(3)设置有载板(4)，所述载板(4)上嵌入式安装有载片台(5)，所述载板(4)上焊接有第一引线(6)，所述第一引线(6)的左右两侧通过连接筋(7)设置有两组第二引线(8)，所述主架体(1)和副架体(2)上均设置有绝缘框体(9)，所述绝缘框体(9)包括绝缘聚合物层(901)、氧化铝绝缘层(902)和电镀陶瓷层(903)，所述绝缘聚合物层(901)设置在主架体(1)和副架体(2)的外侧，所述氧化铝绝缘层(902)设置在绝缘聚合物层(901)的外侧，所述电镀陶瓷层(903)设置在氧化铝绝缘层(902)的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述载片台(5)上设置有两组对称布设的限位卡块(10)。

3.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述载板(4)上开设有散热孔(11)，所述散热孔(11)对称设置在载片台(5)的左右两侧。

4.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述连杆(3)点焊在主架体(1)、副架体(2)和载板(4)上。

5.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述主架体(1)、副架体(2)和载板(4)上均开设有定位孔(12)。

6.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述第一引线(6)和第二引线(8)的端头上均设置有连接压片(13)。

7.根据权利要求1所述的一种高绝缘型引线框架，其特征在于：所述绝缘聚合物层(901)、氧化铝绝缘层(902)和电镀陶瓷层(903)的厚度分别为20-30μm、50-80μm和30-50μm。

8.一种权利要求1所述的高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；

S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；

S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；

S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；

S5、使下模位于密封墙内，加热至150-200℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；

S6、抽取上下模内气体至真空状态；

S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为150-180℃，并保持50-70s；

S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；

S9、关闭腔内吸真空，退出已塑封的引线框架；

S10、对引线框架进行烘烤，烘烤温度为85-125℃，烘烤时间为24-72h，即完成对该高绝缘型引线框架的塑封。

9.根据权利要求8所述的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于：所述S2中的电浆为95％氩气与5％氧气的组合气体。

10.根据权利要求8所述的一种高绝缘型引线框架的塑封方法，其特征在于：所述S2中塑封料粉回温时间为4-6h。