[发明专利]一种高绝缘型引线框架及塑封方法

说明书

本发明公开了一种高绝缘型引线框架，包括主架体，所述主架体呈工字形，所述主架体上设置有对称布设的至少八组副架体，所述主架体和副架体之间通过连杆设置有载板，所述载板上嵌入式安装有载片台，所述载板上焊接有第一引线，所述主架体和副架体上均设置有绝缘框体。本发明还提供了一种高绝缘型引线框架的塑封方法。本发明提供的一种高绝缘型引线框架通过设置第一引线和第二引线方便与外引线的连接，通过绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层组成的绝缘框体可保证该引线框体良好的绝缘性，本发明提供的一种高绝缘型引线框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高压，提高了封装良率，塑封效果好，良品率高。

技术领域

本发明属于引线框架技术领域，具体涉及一种高绝缘型引线框架及塑封方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

现有的引线框架不方便连接外引线，且外层均设置一层绝缘层，若绝缘层破损，可能会发生漏电，影响引线框架的使用，且现有的引线框架的塑封方法大都采用加压注塑法，高压可能会导致引线框架被冲倒或焊接电路断裂的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高绝缘型引线框架及塑封方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种高绝缘型引线框架，包括主架体，所述主架体呈工字形，所述主架体上设置有对称布设的至少八组副架体，所述主架体和副架体之间通过连杆设置有载板，所述载板上嵌入式安装有载片台，所述载板上焊接有第一引线，所述第一引线的左右两侧通过连接筋设置有两组第二引线，所述主架体和副架体上均设置有绝缘框体，所述绝缘框体包括绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层，所述绝缘聚合物层设置在主架体和副架体的外侧，所述氧化铝绝缘层设置在绝缘聚合物层的外侧，所述电镀陶瓷层设置在氧化铝绝缘层的一侧。

较佳地，所述载片台上设置有两组对称布设的限位卡块。

较佳地，所述载板上开设有散热孔，所述散热孔对称设置在载片台的左右两侧。

较佳地，所述连杆点焊在主架体、副架体和载板上。

较佳地，所述主架体、副架体和载板上均开设有定位孔。

较佳地，所述第一引线和第二引线的端头上均设置有连接压片。

较佳地，所述绝缘聚合物层、氧化铝绝缘层和电镀陶瓷层的厚度分别为20-30μm、50-80μm和30-50μm。

本发明还提供了一种高绝缘型引线框架的塑封方法，包括以下步骤：

S1、将半导体芯片安装在引线框架上的载片台上；

S2、用电浆清洗引线框架及半导体芯片，同时取塑封料粉进行回温；

S3、将安装有半导体芯片的引线框架的背面，利用真空压力吸附于模压腔体的上模，已安装有半导体芯片的引线框架倒贴于上模体，上模与下模保持一定距离；

S4、向下模槽内均匀填撒经过回温的塑封料粉；

S5、使下模位于密封墙内，加热至150-200℃，使下模内塑封料粉中有机树脂从固体完全融化为液体；

S6、抽取上下模内气体至真空状态；

S7、上下腔体相向移动，使引线框架逐步浸入下模内流体塑封料内，直至上下模完全压合后，腔内温度设置为150-180℃，并保持50-70s；

S8、上下模压合状态下降温固化塑封料，完成再结晶过程；