[发明专利]等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的输入热量以及晶圆与加热器之间的热阻设为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算输入热量和所述热阻。设定温度计算部使用由参数计算部计算出的输入热量和热阻，来计算使晶圆成为目标温度的加热器的设定温度。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。

背景技术

以往以来，已知一种使用等离子体对半导体晶圆(以下也称作“晶圆”)等被处理体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。在该等离子体处理装置中，在蚀刻工艺中，晶圆的温度是重要的参数之一。

因此，提出有如下一种方法：在等离子体处理装置中，在用于载置晶圆的载置台内埋入能够进行温度控制的加热器，利用加热器来控制晶圆的温度。另外，提出有一种预测由加热器加热后的晶圆的温度的方法。

专利文献1：日本特开2016-001688号公报

专利文献2：日本特开2009-302390号公报

专利文献3：日本特开2017-011169号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在等离子体处理中，从等离子体朝向晶圆输入热。因此，在等离子体处理装置中，有时不能够高精度地将等离子体处理中的晶圆的温度控制为目标温度。

用于解决问题的方案

公开的一个实施方式的等离子体处理装置具有载置台、加热器控制部、测量部、参数计算部以及设定温度计算部。载置台设置有加热器，所述加热器能够对用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面的温度进行调整。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。由加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度为固定，测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的输入热量以及被处理体与加热器间的热阻设为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算输入热量和热阻。设定温度计算部使用由参数计算部计算出的输入热量和热阻，来计算使被处理体成为目标温度的加热器的设定温度。

发明的效果

根据公开的等离子体处理装置的一个方式，起到能够高精度地将等离子体处理中的被处理体的温度控制为目标温度的效果。

附图说明

图1是概要性地表示第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是表示第一实施方式所涉及的载置台的俯视图。

图3是表示控制第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的控制部的概要性结构的框图。

图4是示意性地表示对晶圆的温度带来影响的能量的流动的图。

图5A是示意性地表示未点火状态的能量的流动的图。

图5B是示意性地表示点火状态的能量的流动的图。

图6是表示晶圆W的温度与向加热器HT供给的供给电力的变化的一例的图。

图7是示意性地表示点火状态的能量的流动的图。