[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层包括刻蚀区和保留区，所述保留区为去除所述刻蚀区后用作刻蚀所述半导体衬底的掩膜的区域；

在所述介质层上形成图案化的核心层和覆盖所述介质层和所述核心层的侧墙层，相邻两个所述核心层之间的所述侧墙层形成凹槽；

对所述侧墙层执行图形化工艺，以去除位于所述核心层顶部表面和位于所述刻蚀区中的所述凹槽底部的所述侧墙层，以露出所述刻蚀区的第一部分；所述保留区包括由部分所述凹槽底部的介质层构成的第一区域，对所述侧墙层执行图形化工艺的步骤包括：形成侧墙阻挡层，所述侧墙阻挡层填充所述第一区域的所述凹槽，所述侧墙阻挡层的顶部与覆盖在所述核心层顶部表面的所述侧墙层齐平；执行刻蚀工艺，以去除位于所述核心层顶部表面和位于所述刻蚀区中的所述凹槽底部的所述侧墙层；所述形成侧墙阻挡层的步骤包括：形成填充所述凹槽并覆盖所述侧墙层的图案化的填充材料层，所述填充材料层露出所述第一区域上的所述凹槽；形成覆盖所述填充材料层并填充所述第一区域上的所述凹槽的侧墙阻挡材料层；执行平坦化工艺以去除部分所述填充材料层和所述侧墙阻挡材料层形成所述侧墙阻挡层和填充层，所述侧墙阻挡层和所述填充层的顶部与所述核心层顶部表面的侧墙层齐平；去除所述填充层；

形成覆盖所述第一部分的介质阻挡层，所述介质阻挡层顶部与所述核心层齐平；

去除所述核心层和所述介质阻挡层以露出所述刻蚀区。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述侧墙阻挡层材料的刻蚀选择比较所述填充层材料的刻蚀选择比大。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述核心层和所述介质阻挡层以露出所述刻蚀区的步骤包括：

去除所述核心层以露出所述刻蚀区的第二部分；

去除所述介质阻挡层以露出所述刻蚀区的所述第一部分；

其中，所述第一部分和所述第二部分整体构成所述刻蚀区。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介质阻挡层与所述核心层设置为相同的材料。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述核心层和所述介质阻挡层在同一刻蚀工艺中完成。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介质阻挡层的材料包括旋涂的非晶碳材料。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括刻蚀所述介质层，以去除所述刻蚀区形成用作刻蚀所述半导体衬底的掩膜。