[发明专利]一种低温多晶硅的制备方法及微波加热设备

权利要求书

1.一种低温多晶硅制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板的一侧形成非晶硅层；

进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；

其中，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，和/或，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：

形成晶化诱导膜；

进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层，包括：

通过微波发射板中的多个微波发射孔向所述基板发射微波，加热所述非晶硅层，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；

其中，所述微波发射孔与所述基板所在平面倾斜设置且呈预设夹角，所述预设夹角的范围为60°～90°。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：

形成第一晶化诱导膜；

在进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之后还包括：

将所述第一晶化诱导膜去除，并清洗所述多晶硅层表面。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将所述第一晶化诱导膜去除，并清洗所述多晶硅层表面之后，还包括：

在所述多晶硅层背离所述基板的一侧形成第一保护层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述多晶硅层背离所述基板的一侧形成第一保护层之后，还包括：

在所述第一保护层背离所述基板的一侧形成栅极图案；

采用所述栅极图案为掩膜版进行离子掺杂，形成源区和漏区。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，还包括：

在所述基板的一侧形成缓冲层。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，提供一基板之后，还包括：

在所述基板一侧形成栅极图案；

在所述栅极图案背离所述基板的一侧形成第二保护层；

在进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之后还包括：

采用掩膜版对所述多晶硅层进行离子掺杂形成源区和漏区。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，还包括：

在所述基板的一侧形成第二晶化诱导膜，所述第二晶化诱导膜包括多个晶化诱导孤岛；

在所述第二晶化诱导膜背离所述基板的一侧形成缓冲层；

在所述基板的一侧形成非晶硅层，包括：在所述缓冲层背离所述基板的一侧形成非晶硅层；

在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之后，还包括：在所述非晶硅层背离所述基板的一侧形成第三保护层；

在所述第三保护层背离所述非晶硅层的一侧形成栅极图案；

采用所述栅极图案为掩膜版进行离子掺杂，形成源区和漏区；

其中，所述多个晶化诱导孤岛位于所述源区和漏区在所述基板上的垂直投影内。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，还包括：

在所述基板的一侧形成栅极图案和第二晶化诱导膜，所述第二晶化诱导膜包括多个晶化诱导孤岛，所述晶化诱导孤岛与所述栅极图案同层；

在所述栅极图案和所述第二晶化诱导膜背离所述基板的一侧形成第四保护层；

在所述基板的一侧形成非晶硅层包括：在所述第四保护层背离所述基板的一侧形成非晶硅层；

在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之后，还包括：

在所述多晶硅层背离所述基板的一侧形成第五保护层；

采用掩膜版对所述多晶硅层进行离子掺杂形成源区和漏区。

9.根据权利要求1-8任一所述的制备方法，其特征在于，所述晶化诱导膜包括金属材料、金属氧化物和氧化硅的混合材料或金属与硅的合金材料。