[发明专利]一种低温多晶硅的制备方法及微波加热设备

说明书

本发明公开了一种低温多晶硅制备方法及微波加热设备。其中，该低温多晶硅的制备方法包括：提供一基板；在所述基板的一侧形成非晶硅层；进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；其中，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，和/或，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：形成晶化诱导膜。本发明实施例提供的低温多晶硅制备方法和微波加热设备，可以解决常规多晶硅退火工艺晶化均一性低，工艺难度大，产品良率低的问题，使多晶硅制备温度有效降低，晶粒也更加均匀，同时，可以降低制备工艺难度和设备成本，获得成本更低、品质更高且良率更高的多晶硅产品。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅的制备方法及微波加热设备。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

LCD和OLED的显示装置中，多采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)的背板驱动技术，和目前量产采用最多的非晶硅(a-Si)驱动技术相比，其电子迁移率比非晶硅高100倍以上，可以制作更高解析度、更高开口率，更窄边框，稳定性更高的产品。因此，LTPS技术的发展受到了广泛的研究和重视。目前，业界常用的LTPS技术为准分子激光退火(Excimer Laser Annel，ELA)技术，其中激光器、光学以及机械系统复杂，设备造价昂贵，备品备件贵，保养维修成本较高；另外，ELA技术产生激光的激光器和光学元件尺寸有限，限制了激光束的尺寸，进一步限制了生产基板尺寸。并且，由于激光束尺寸有限，只能对基板进行按区域顺序晶化，从而导致不同区域的晶化存在不均匀的情况，影响了产品的质量，导致产品不良率较高。

发明内容

本发明提供一种低温多晶硅的制备方法及微波加热设备，可以降低多晶硅制备温度、制备工艺难度以及设备成本，获得晶粒均匀多晶硅产品。

第一方面，本发明实施例提供了一种低温多晶硅制备方法，包括：

提供一基板；

在所述基板的一侧形成非晶硅层；

进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；

其中，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，和/或，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：

形成晶化诱导膜。

可选地，在所述基板的一侧形成非晶硅层之后以及在进行微波加热将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之前，还包括：

形成第一晶化诱导膜；

在进行微波加热，将所述非晶硅层晶化为多晶硅层之后还包括：

将所述第一晶化诱导膜去除，并清洗所述多晶硅层表面。

可选地，将所述第一晶化诱导膜去除，并清洗所述多晶硅层表面之后，还包括：

在所述多晶硅层背离所述基板的一侧形成第一保护层。

可选地，在所述多晶硅层背离所述基板的一侧形成第一保护层之后，还包括：

在所述第一保护层背离所述基板的一侧形成栅极图案；

采用所述栅极图案为掩膜版进行离子掺杂，形成源区和漏区。

可选地，在所述基板的一侧形成非晶硅层之前，还包括：