[发明专利]硅通孔检测电路及方法、集成电路在审

专利信息
申请号: 201811367326.2 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111198316A 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 林祐贤 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 硅通孔 检测 电路 方法 集成电路
【说明书】:

本公开是关于一种硅通孔检测电路及检测方法、集成电路,所述硅通孔检测电路包括:输入模块和比较模块,输入模块包括第一开关单元,控制端连接第一检测控制信号,第一端连接第一电源端,第二端连接硅通孔的第一端,用于响应第一检测控制信号而导通将第一电源信号传输至硅通孔的第一端;比较模块第一输入端连接硅通孔的第二端,第二输入端连接参考信号,用于比较硅通孔第二端的信号和参考信号。通过第一检测控制信号控制第一开关单元导通,将第一开关单元第一端的第一电源信号经过和第一开关单元第二端连接的硅通孔传输至比较模块的第一输入端,比较模块的第二输入端输入参考信号实现了硅通孔连通性的检测,结构简单,适用于大规模集成电路。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域,具体而言,涉及一种硅通孔检测电路及方法、集成电路。

背景技术

随着技术的发展和进步,3D芯片的使用越来越广泛,3D芯片通过TSV(Through-Silicon Vias,硅通孔)实现多层硅片的连接。TSV在制造和绑定过程中易出现故障,TSV故障势必会影响3D芯片的性能。

目前,对于TSV数量较少的3D集成电路,其堆叠层中往往不设置中介层,对于TSV数量较大的3D集成电路,通常会在堆叠结构中设置中介层。多层堆叠层通过TSV互连通信,但在制造和绑定过程中TSV易出现故障,因此需要检测TSV的连通性。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种硅通孔检测电路及方法、集成电路,进而对3D集成电路中的硅通孔的连通性进行检测。

根据本公开的第一方面,提供一种硅通孔检测电路,所述硅通孔检测电路包括:

输入模块,包括第一开关单元,控制端连接第一检测控制信号,第一端连接第一电源端,第二端连接硅通孔的第一端,用于响应第一检测控制信号而导通将第一电源信号传输至硅通孔的第一端;

比较模块,第一输入端连接硅通孔的第二端,第二输入端连接参考信号,用于比较所述硅通孔第二端的信号和所述参考信号。

根据本公开的一实施方式,所述输入模块设置于第一芯片层上,所述比较模块设置于第二芯片层上,所述第一芯片层和所述第二芯片层通过硅通孔连接。

根据本公开的一实施方式,所述第一芯片层上设置有N个所述输入模块,N个所述输入模块中的每个输入模块对应连接于一硅通孔串的第一端,所述硅通孔串的第二端连接所述比较模块的第一输入端,所述硅通孔串包括多个串联的硅通孔。

根据本公开的一实施方式,所述比较模块包括:

N个比较单元,N个所述比较单元中的每个比较单元的第一输入端分别连接一硅通孔串的第二端,N个比较单元的第二输入端连接所述参考信号。

根据本公开的一实施方式,所述硅通孔检测电路还包括:

输出模块,包括:

触发器,连接输出控制信号、时钟信号端和第一节点,用于响应时钟信号将所述输出控制信号传输至所述第一节点;

第二开关单元,连接所述硅通孔串的第二端、所述第一节点和所述比较模块的第一输入端,用于响应所述触发器输出的信号而导通以将所述硅通孔串的第二端的信号传输至所述比较模块的第一输入端;

根据本公开的一实施方式,所述硅通孔检测电路包括:

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