[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811367807.3 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111200066B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 聂志文;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点发光二极管,包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层,其特征在于,所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料,所述介孔材料的热传导率大于或等于300Wm-1K-1

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述介孔材料的粒径为2-100μm;和/或所述介孔材料的孔径为2-20nm。

3.根据权利要求1至2任一所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述介孔材料选自氮化硼、氮化铝和氧化铍中的一种或多种。

4.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:

提供一种阳极基板,在所述阳极基板表面制备量子点发光层,所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料,所述介孔材料的热传导率大于或等于300Wm-1K-1

在所述量子点发光层表面制备阴极,制得量子点发光二极管;

或者,提供一种阴极基板,在所述阴极基板表面制备量子点发光层,所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料,所述介孔材料的热传导率大于或等于300Wm-1K-1

在所述量子点发光层表面制备阳极,制得量子点发光二极管。

5.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述量子点发光层材料的制备方法包括以下步骤:

将介孔材料分散在非极性溶剂中制得介孔材料溶液,在惰性气体氛围下对所述介孔材料溶液进行加热回流处理;

将量子点材料分散在非极性溶剂中制得量子点溶液,将所述量子点溶液与所述经过加热回流处理的介孔材料溶液混合,得到混合溶液;

在惰性气体氛围下对所述混合溶液进行加热处理使得所述混合溶液中的溶剂挥发完全,制得所述量子点发光层材料。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述在惰性气体氛围下对所述介孔材料溶液进行加热回流处理的步骤中,加热温度为60-200℃;

和/或,所述在惰性气体氛围下对所述混合溶液进行加热处理使得所述混合溶液中的溶剂挥发完全的步骤中,加热温度为60-200℃。

7.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述量子点溶液的浓度为0.1-100mg/ml。

8.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述混合溶液中,介孔材料与量子点材料的质量比为500-50:1。

9.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述量子点材料为II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811367807.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code