[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料。本发明通过将量子点材料和介孔材料组成的复合材料作为量子点发光层材料，所述量子点材料可进入到介孔材料的介孔中，这不仅可以保持量子点材料原有的发光性能，还可以有效地保护量子点免受外来环境的影响；同时，介孔材料的高热传导率和介孔结构特点还可以提高量子点发光层的散热效率，能及时、有效地将量子点发光层产生的热能传递至外界，显著降低了量子点发光二极管的工作温度，有助于减缓量子点发光二极管的衰减，从而提高其工作寿命。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点作为一种典型的无机纳米晶体，其具有发光颜色随粒径可调、高色纯、长寿命、易分散且量子点产率高等优点，非常适合制备高性能显示器件。此外，由于量子点的制备工艺通常是采用溶液法制备，制备好的量子点可分散于溶剂中配置成量子点溶液，非常适合采用旋涂、印刷、打印等方式制备成膜，有利于大面积加工制备。如采用喷墨打印的方式将量子点墨水沉积在特定位置形成精密像素薄膜结构，且非常适合制备大尺寸彩色QLED显示屏。因此，量子点发光二级管(QLED)被普遍认为是下一代显示技术的极具潜力的竞争者，有望应用于新一代高色域、低功耗的新型显示领域。

目前，传统的QLED器件主要是借鉴了OLED器件结构，包括顶电极和底电极、量子点发光层和在两个电极与量子点之间添加的各种功能层，这些功能层包括空穴注入、空穴传输、电子注入、电子传输层等。在外加电压的激发下，载流子(电子和空穴)通过两端电极和各功能层进入量子点发光层进行复合形成激子，复合后激子通过辐射跃迁的方式释放能量，从而实现发光。

近年来，通过对量子点材料能级结构的调控以及QLED器件结构的不断优化，现有红绿蓝量子点的器件效率已经接近OLED水平，促使了QLED技术实现大规模商业化的可能性。然而，现有QLED器件结构本身会给器件性能带来一些不利的影响，如量子点发光层发热和稳定性问题，其热源主要来源于两方面。第一、量子点自身缺陷态的非辐射复合以及量子点间界面的电阻效应产生的焦耳热。第二、来源于量子点层中未出射的光子的再吸收所释放的热能等。量子点发光层产生的热能如不及时的向外界释放，会造成量子点自身发生物理或化学变化，从而影响器件的性能，如降低其发光效率乃至猝灭，减缓其使用寿命等，这成为了制约了量子点真正实现商业化的关键因素之一。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光层的散热效率较低，导致量子点发光二极管使用寿命短、发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其中，所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供一种阳极基板，在所述阳极基板表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料；

在所述量子点发光层表面制备阴极，制得量子点发光二极管；

或者，提供一种阴极基板，在所述阴极基板表面制备量子点发光层，所述量子点发光层材料为由量子点材料和介孔材料组成的复合材料；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得量子点发光二极管。