[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括器件单元区，所述器件单元区包括中心区域以及位于所述中心区域两侧的边缘区域，所述边缘区域用于形成至少一个鳍部，所述中心区域用于形成多个鳍部；

图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括底部鳍部以及位于所述底部鳍部上的顶部鳍部，与所述鳍部延伸方向相垂直的方向上，所述顶部鳍部的宽度小于所述底部鳍部的宽度，所述中心区域的底部鳍部为一体结构；

在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构至少覆盖所述底部鳍部的侧壁，且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述基底的步骤包括：在所述基底上形成图形化的鳍部掩膜层；

以所述鳍部掩膜层为掩膜，对所述基底进行第一图形化处理，在剩余基底上形成凸出的顶部鳍部；

在所述顶部鳍部的侧壁上形成侧壁层；

以所述鳍部掩膜层和侧壁层为掩膜，对所述顶部鳍部露出的剩余基底进行第二图形化处理，所述第二图形化处理后的剩余基底作为衬底，位于所述衬底表面的凸起作为底部鳍部，所述底部鳍部和所述顶部鳍部相连，所述底部鳍部和所述顶部鳍部用于构成鳍部；

形成所述鳍部后，去除所述侧壁层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧壁层后，在所述第二图形化处理之前，还包括：在所述中心区域的剩余基底上形成图形层，所述图形层覆盖所述中心区域的顶部鳍部；

形成所述衬底和底部鳍部的步骤中，以所述侧壁层和图形层为掩膜，进行所述第二图形化处理；

形成所述鳍部后，还包括：去除所述图形层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述基底的步骤包括：在所述基底上形成图形化的鳍部掩膜层；

在所述基底上形成图形层，所述图形层还覆盖所述鳍部掩膜层；

以所述图形层为掩膜，对所述基底进行第二图形化处理，形成衬底以及凸出于所述衬底的初始鳍部；

形成所述初始鳍部后，去除所述图形层；

去除所述图形层后，在所述初始鳍部露出的衬底上形成保护层，所述保护层覆盖所述初始鳍部的部分侧壁；

以所述鳍部掩膜层和保护层为掩膜，对部分高度的所述初始鳍部进行第一图形化处理，所述第一图形化处理后的剩余初始鳍部作为底部鳍部，位于所述底部鳍部表面的凸起作为顶部鳍部，所述底部鳍部和所述顶部鳍部相连，所述底部鳍部和所述顶部鳍部用于构成鳍部；

形成所述鳍部后，去除所述保护层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述图形层的步骤中，所述图形层覆盖所述中心区域的基底。

6.如权利要求3或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形层为光刻胶层；

或者，所述图形层包括底部抗反射涂层、以及位于所述底部抗反射涂层上的光刻胶层。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧壁层的步骤包括：形成保形覆盖所述剩余基底和所述顶部鳍部的侧壁膜；

采用无掩膜干法刻蚀工艺，去除所述剩余基底上和所述顶部鳍部顶部上的侧壁膜，保留所述顶部鳍部侧壁的剩余侧壁膜作为所述侧壁层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺，形成所述侧壁膜。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧壁层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为底部抗反射涂层、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

11.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至