[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 201811375295.5 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524475B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘宁 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;蔡丽 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，包括位于衬底上的有源层，所述有源层为金属氧化物半导体层，和位于所述衬底和所述有源层之间的遮光金属层，所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内，其特征在于，所述有源层与所述遮光金属层之间设置有与所述有源层和所述遮光金属层相接触的第一绝缘隔热层，所述有源层远离所述遮光金属层的一侧设置有第二绝缘隔热层；
所述第一绝缘隔热层和所述第二绝缘隔热层均由酚醛树脂和二氧化硅的复合材料制成；
所述第一绝缘隔热层和所述第二绝缘隔热层的热导率均为24～100mW/mK范围内。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述遮光金属层之间的第一绝缘隔热层复用为缓冲层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层远离所述遮光金属层一侧的第二绝缘隔热层复用为栅绝缘层。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的厚度为
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为
6.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括形成位于衬底上的有源层，所述有源层为金属氧化物半导体层，和位于所述衬底和所述有源层之间的遮光金属层，所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内，其特征在于，还包括：
在所述有源层与所述遮光金属层之间形成第一绝缘隔热层；
在所述第一绝缘隔热层表面形成有源层；
在所述有源层表面形成第二绝缘隔热层；
所述第一绝缘隔热层和所述第二绝缘隔热层均由酚醛树脂和二氧化硅的复合材料制成；
所述第一绝缘隔热层和所述第二绝缘隔热层的热导率均为24～100mW/mK范围内。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法具体为：
制备衬底；
在所述衬底上形成遮光金属层；
在所述遮光金属层表面形成复用为缓冲层的第一绝缘隔热层；
在所述缓冲层上形成有源层；所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内；
在所述有源层表面形成复用为栅绝缘层的第二绝缘隔热层；
形成层间介质层；
形成源极和漏极，得到薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，利用绝缘隔热材料在所述遮光金属层表面形成缓冲层具体为：
将酚醛树脂和二氧化硅的复合材料旋涂或者喷涂于所述遮光金属层表面，经过干燥，形成复用为缓冲层的第一绝缘隔热层；
利用绝缘隔热材料在所述有源层上形成栅绝缘层具体为： 将酚醛树脂和 二氧化硅的复合材料旋涂或者喷涂于所述有源层表面，经过干燥，形成复用为栅绝缘层的第二绝缘隔热层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述干燥时的温度为100～200℃，所述干燥的时间为30～120分钟。
10.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，以如权利要求1-5中任一项所述薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，还包括开关薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管的有源层两侧的膜层均由绝缘隔热材料制成。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10或11所述的显示基板。
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