[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示装置有效

申请号：	201811375295.5	申请日：	2018-11-19
公开（公告）号：	CN109524475B	公开（公告）日：	2022-06-14
发明（设计）人：	刘宁	申请（专利权）人：	合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	黄灿;蔡丽
地址：	230012 ***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管制备方法显示装置
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【说明书】：

本发明涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管、其制备方法及显示装置。本发明的薄膜晶体管包括位于衬底上的有源层和位于所述衬底和所述有源层之间的遮光金属层，所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内，所述有源层与所述遮光金属层之间设置有第一绝缘隔热层，所述有源层远离所述遮光金属层的一侧设置有第二绝缘隔热层。所述绝缘隔热层可以更好的隔绝热量传导，从而避免有源层因受热引起开启电压发生负漂，从而更好的保证显示质量。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管、其制备方法及显示装置。

背景技术

顶栅型的薄膜晶体管(TFT)具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。而且顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生栅极和漏极短路等不良的可能性也降低。由于顶栅型的薄膜晶体管具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。

为了防止外界光线对顶栅型的薄膜晶体管有源层的影响，一般在有源层的正下方设置有遮光金属层。但是，在有源层上形成其他膜层时，通常采用高温沉积和退火，由于遮光金属层的传热效率较高，因此热量迅速传导至有源层；若有源层采用金属氧化物材料，那么，有源层受热后，其中的氧就容易扩散出来，导致薄膜晶体管的开启电压出现负漂。负漂后的电压为-5V至-1V。

AMOLED产品电路设计中，经常采用3T1C结构。驱动薄膜晶体管设置有遮光金属层，因此其比开关薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管容易出现开启电压负漂，导致显示面板中各个薄膜晶体管开启电压调整方向的不同步，影响显示质量。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管、其制备方法及显示装置，所述薄膜晶体管可以避免有源层由于过度受热产生的开启电压负漂，从而保证显示质量。

本发明提供了一种薄膜晶体管，包括位于衬底上的有源层和位于所述衬底和所述有源层之间的遮光金属层，所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内，所述有源层与所述遮光金属层之间设置有第一绝缘隔热层，所述有源层远离所述遮光金属层的一侧设置有第二绝缘隔热层。

优选地，所述第一绝缘隔热层和第二绝缘隔热层的热导率低于100mW/mK。

优选地，所述第一绝缘隔热层和第二绝缘隔热层均由酚醛树脂和二氧化硅的复合材料制成。

优选地，所述有源层与所述遮光金属层之间的第一绝缘隔热层复用为缓冲层。

优选地，所述有源层远离所述遮光金属层一侧的第二绝缘隔热层复用为栅绝缘层。

优选地，所述缓冲层的厚度为

优选地，所述栅绝缘层的厚度为

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成位于衬底上的有源层和位于所述衬底和所述有源层之间的遮光金属层，所述有源层在所述衬底上的正投影落入所述遮光金属层在所述衬底上的正投影内，还包括：

在所述有源层与所述遮光金属层之间形成第一绝缘隔热层，