[发明专利]集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路在审
申请号: | 201811376717.0 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN111199966A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 林欣逸;谢协缙 | 申请(专利权)人: | 台湾类比科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;李岩 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 电子 元件 主动 静电 放电 保护 电路 | ||
本发明公开一种集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路,主动式静电放电保护电路包含一开关单元及一静电检知单元,该开关单元跨接于一电子熔丝元件上,且具有一控制端;该静电检知单元连接至该开关单元的控制端,以控制该开关单元的导通或不导通;当检知有静电发生时,即控制该开关单元立即触发导通以快速形成一静电电流宣泄路径,避免静电放电电流通过该电子熔丝元件,而烧断该电子熔丝元件。
技术领域
本发明关于一种静电放电保护电路,尤指一种针对集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路。
背景技术
在先进半导体工艺微缩下,集成电路的操作电压也越趋降低,对于包含有电子熔丝元件的集成电路来说,其中电子熔丝元件的宽度也越趋窄缩,相对使用更小的电压即可烧断电子熔丝元件;因此,由先进半导体工艺所制作的微缩化电子熔丝元件更容易被静电放电的突波烧断,造成集成电路的设定错误。
请参阅图3所示,一般具有电子熔丝元件31的集成电路30会在电源低电位外接点P3_AGND与连接该电子熔丝元件31的调校内接点P2_FUSE之间设置有一静电放电保护组件32,但此做法仍无法全面防止静电放电电流通过电子熔丝元件31,仍会将电子熔丝元件31烧断。
请参阅图4所示,为中国台湾第105100696号发明专利申请案所提出来的一种用于电熔丝的放电保护结构,该放电保护结构包含与电子熔丝元件40并联的二极管41,如图中所示,该二极管41由一晶体管构成,即该晶体管的栅极连接至源极。当静电放电的负脉冲期间,该二极管41会导通,使得静电放电电流流经导通的二极管41,而不会流向该电子熔丝元件40,以避免电子熔丝元件40被烧断。在正常操作期间,由于该二极管41不导通而不影响正常使用。
由于前揭发明专利申请案是将二极管与电熔丝并联来保护电熔丝;因此,该二极管必须在顺偏导通的状态下才能达到保护效果;反之,当二极管在逆偏不导通的状态下,则须依赖另一个电源嵌制器42来保护电子熔丝元件。
因此,由于二极管无法被控制导通或不导通,且该二极管仅能在静电放电的负脉冲期间对电熔丝达到保护效果,故而有必要进一步改良之。
发明内容
有鉴于上述具有电熔丝的静电放电保护电路缺陷,本发明提供一种新的集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路。
欲达上述目的所使用的主要技术手段令该集成电路包含有一电源高电位外接点、一电源低电位外接点、一调校内接点、一功能电路单元及一电子熔丝元件,该功能电路通过该电子熔丝元件串接在该调校内接点与该电源低电位外接点之间;其中该集成电路的主动式静电放电保护电路包含有:
一开关单元,跨接于该电子熔丝元件上,该开关单元具有一控制端;以及
一静电检知单元,串接于该调校内接点及该电源低电位外接点之间,且该静电检知单元连接至该开关单元的控制端,以控制该开关单元的导通或不导通。
由上述可知,本发明集成电路的主动式静电放电保护电路针对该电子熔丝元件进行静电放电保护,主要将一开关单元跨接在该电子熔丝元件上,再配合该静电检知元件检知静电的存在与否,对该开关单元进行控制;当检知有静电发生,即控制该开关单元立即导通以快速形成一静电电流宣泄路径,避免静电放电电流通过该电子熔丝元件,而烧断该电子熔丝元件;因此,本发明集成电路中的电子熔丝元件可有效地在调校期间或使用期间不因静电放电被烧断,确保集成电路的正常调校。
欲达上述目的所使用的主要技术手段令该电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路,包括:
一开关单元,用以跨接于一电子熔丝元件上,且该开关单元具有一控制端;以及
一静电检知单元,连接至该开关单元的控制端,以控制该开关单元的导通或不导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的