[发明专利]平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法

权利要求书

1.一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

包括：

晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；

研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；以及

驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。

2.根据权利要求1所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

所述驱动装置为气缸脉冲装置。

3.根据权利要求1所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

还包括温控装置，其对研磨体的温度进行升降控制。

4.根据权利要求3所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺或高密度海绵。

5.根据权利要求1所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

所述研磨颗粒为纳米SiO₂颗粒、SiC颗粒、SiN颗粒或金刚石粉末。

6.根据权利要求1所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，其特征在于，

所述研磨颗粒的粒径为0.5nm～10nm，密度为10⁵～10²⁰个/mm³。

7.一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法，其特征在于，

包括以下步骤：

将待抛光器件固定在晶圆托片装置上；

驱动装置带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件反复多次插入和离开研磨体对侧壁进行抛光，

其中，所述研磨体为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体。

8.根据权利要求7所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法，其特征在于，

所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺或高密度海绵。

9.根据权利要求7所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法，其特征在于，

所述研磨颗粒为纳米SiO₂颗粒、SiC颗粒、SiN颗粒或金刚石粉末。

10.根据权利要求8所述的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法，其特征在于，

当所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺，进行研磨时，将温度加热到150℃～250℃，使所述研磨体处于半固态。