[发明专利]平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法

说明书

本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，需要经历多次刻蚀工艺。在刻蚀过程中会产生一些难以挥发的副产物黏附于器件的侧壁，此外，在刻蚀过程中也会对器件侧壁造成不同程度的损伤。目前，通常采用离子束清洗方法来去除上述黏附层和损伤层。但是，随着器件不断向高密度、小型化方向发展，对于密度较高的阵列，由于阴影遮蔽效应，导致现有技术无法完全刻蚀掉全部的黏附层和损伤层。

发明内容

为了解决上述问题，本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置，包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；以及驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置中，优选为，所述驱动装置为气缸脉冲装置。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置中，优选为，还包括温控装置，其对研磨体的温度进行升降控制。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置中，优选为，所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺或高密度海绵。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置中，优选为，所述研磨颗粒为纳米SiO₂颗粒、SiC颗粒、SiN颗粒或金刚石粉末。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置中，优选为，所述研磨颗粒的粒径为0.5nm～10nm，密度为10⁵～10²⁰个/mm³。

本发明还公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法，包括以下步骤：将待抛光器件固定在晶圆托片装置上；驱动装置带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件反复多次插入和离开研磨体对侧壁进行抛光，其中，所述研磨体为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法中，优选为，所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺或高密度海绵。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法中，优选为，所述研磨颗粒为纳米SiO₂颗粒、SiC颗粒、SiN颗粒或金刚石粉末。

本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的方法中，优选为，当所述研磨颗粒的载体采用聚酰亚胺，进行研磨时，将温度加热到150℃～250℃，使所述研磨体处于半固态。

附图说明

图1是本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置的示意图。

图2是利用本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置进行抛光时器件插入研磨体时的示意图。

图3是利用本发明的平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置进行抛光时器件离开研磨体时的示意图。

具体实施方式