[发明专利]拼接式压印模板及其制备方法和母模板有效

专利信息
申请号: 201811376982.9 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109240041B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 谭伟;郭康;谷新;张笑 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 汪源;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 拼接 压印 模板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种拼接式压印模板的制备方法,其特征在于,所述拼接式压印模板包括:相邻的第一拼接区域和第二拼接区域,所述制备方法包括:

在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形;

在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层,所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内且靠近所述第二拼接区域的预定溢胶区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为:在特定除膜工艺下,所述牺牲层被去除,而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留;

在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶;

采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化,部分所述第二模板胶溢出至所述牺牲层背向所述衬底基板的一侧;

对所述第二模板胶进行固化和脱模;

通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层,位于牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶脱落,位于所述第二拼接区域的所述第二模板胶构成所述第二拼接压印图形;

其中,所述牺牲层的材料包括:可降解材料或水溶性材料;

所述特定除膜工艺为通过降解工艺将包括可降解材料的所述牺牲层降解或通过水溶剂将包括水溶性材料的所述牺牲层溶解。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述牺牲层覆盖所述第一拼接区域。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化之后,位于所述牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶与位于所述第二拼接区域内的第二模板胶分离。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述可降解材料包括:可降解型压印胶。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述水溶性材料包括:聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种。

6.根据权利要求1-5中任一所述的制备方法,其特征在于,所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤之后还包括:

对所述压印模板进行干燥处理。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述预定母模板包括:第一压印结构和第二压印结构;所述第一压印结构包括:支撑层和压印图形层,所述支撑层具有支撑面和与所述支撑面相交的侧面,所述压印图形层位于所述支撑面上;所述第二压印结构位于所述支撑层的侧面,且所述第二压印结构位于所述支撑面所在平面背向所述压印图形层的一侧;

所述采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的步骤包括:

将所述预定母模板与所述第二模板胶正对,其中所述第一压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二拼接区域,所述第二压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述预定溢胶区域;

利用所述预定母模板对所述第二模板进行压印,以对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的过程中,所述第一压印结构朝向所述第二压印结构的侧面,与所述第一拼接压印图形朝向所述第二拼接区域的侧面,该两个侧面位于同一平面上。

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